[发明专利]AB类缓冲电路有效
申请号: | 200710106779.5 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101262222A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 周莉 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙洪;霍育栋 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ab 缓冲 电路 | ||
1. 一种AB类缓冲电路,包括PMOS管P1、P2,NMOS管N1、N2,电流源Ib和AB类输出级及负反馈网络,其中,P1源极连接至一第一节点,其栅极和漏极连接至电流源Ib输入端,电流源Ib输出端连接至一第二节点;P2源极连接至所述第一节点,其栅极与P1栅极相连,漏极与N2漏极相连;N2栅极连接至输入电压信号Vi,其源极连接到N1漏极;N1栅极连接至偏置电压信号Vc,其源极连接至所述第二节点;AB类输出级及负反馈网络电路的输入端连接至N2漏级,其输出端连接至输出电压信号Vout,其特征在于:
所述电路还包括PMOS管P2C和NMOS管N2C,P2C源极连接至所述第一节点,其栅极连接至P2栅极,漏极连接至N2C漏极,N2C栅极与漏极相连且连接至输出电压信号Vout,N2C源极连接至N1漏极及N2源极。
2. 如权利要求1所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述PMOS管P2和P2C具有相同的尺寸,NMOS管N2和N2C具有相同的尺寸。
3. 如权利要求1所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述AB类输出级及负反馈网络包括PMOS管P3和NMOS管N3,N4,N5,其中,N3的栅极为AB类输出级及负反馈网络电路的输入端,P3的漏极为AB类输出级及负反馈网络电路的输出端;N3的栅极连接到N2的漏极,其漏极连接到第一节点,其源极连接到N4的漏极,N4的源极接第二节点,其栅极与偏置电压信号Vc1相连;P3的栅极连接到N3的栅极,其源极连接到第一节点,漏极连接到N5的漏极,N5的栅极连接到N4的漏极,其源极接第二节点。
4. 如权利要求1或2或3所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述第一节点为电源VDD,所述第二节点为地VSS。
5. 如权利要求1所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
PMOS管P1,P2和P2C的形状,方向和相对位置保持一致;NMOS管N2和N2C采用差分对的共心布局方法来布局。
6. 一种AB类缓冲电路,包括PMOS管P1、P2,NMOS管N1、N2,电流源和AB类输出级及负反馈网络,其中,P1漏极连接至P2源极,其栅极连接到偏置电压信号Vc,其源极与电流源Ib输入端及第一节点相连,电流源Ib输出端连接至N1漏极和栅极;P2栅极与输入信号电压Vi相连,漏极连接至N2漏极;N2栅极连接至N1栅极,其源极接第二节点;AB类输出级及负反馈网络的输入端与N2漏极相连,其特征在于:
所述电路还包括PMOS管P2C和NMOS管N2C,P2C源极与P2源极相连,其栅极与漏极连接至N2C漏极及输出电压信号Vout;N2C栅极与N2栅极相连,其源极接所述第二节点。
7. 如权利要求6所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述第一节点为电源VDD,所述第二节点为地VSS。
8. 如权利要求6所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述PMOS管P2和P2C具有相同的尺寸,NMOS管N2和N2C具有相同的尺寸。
9. 如权利要求6所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
所述AB类输出级及负反馈网络电路包括PMOS管P3和NMOS管N3,N4,N5,其中,N3的栅极连接到N2的漏极,其漏极连接到第一节点,其源极连接到N4的漏极;N4的源极接第二节点,其栅极与偏置电压信号Vc1相连;P3的栅极连接到N3的栅极,源极连接到第一节点,漏极连接到N5的漏极;N5的栅极连接到N4的漏极,其源极接第二节点。
10. 如权利要求6所述的AB类缓冲电路,其特征在于:
PMOS管P1,P2和P2C的形状,方向和相对位置保持一致;NMOS管N2和N2C采用差分对的共心布局方法来布局。
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