[发明专利]水射流切割系统无效
申请号: | 200710106903.8 | 申请日: | 2007-05-09 |
公开(公告)号: | CN101301736A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 方赞候 | 申请(专利权)人: | 福禄远东股份有限公司 |
主分类号: | B24C1/00 | 分类号: | B24C1/00;B24C3/32;B24C5/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟锐;臧慧敏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水射流 切割 系统 | ||
1、一种用于切割半导体元件的水射流切割系统,其包含:
门式驱动装置,其用于提供x-y平面的驱动力;
高压产生装置,其用于产生高压水流;及
切割装置,其耦接到所述高压产生装置及所述门式驱动装置,以在所述门式驱动装置的驱动下利用所述高压水流对所述半导体元件进行切割。
2、如权利要求1所述的水射流切割系统,其中所述门式驱动装置进一步包含至少一个直线电机。
3、如权利要求1所述的水射流切割系统,其中所述高压产生装置包含卷管式高压管。
4、如权利要求1所述的水射流切割系统,其中所述半导体元件为存储卡。
5、如权利要求4所述的水射流切割系统,其中所述存储卡为SD卡、USB-SD卡、Micro SD卡或MMCmicro卡。
6、如权利要求1所述的水射流切割系统,其进一步包含用于放置所述半导体元件的切割平台。
7、如权利要求6所述的水射流切割系统,其中所述切割平台进一步包含第一真空装置,以将所述半导体元件吸附于所述切割平台。
8、如权利要求1所述的水射流切割系统,其中所述切割装置进一步包含混合室,所述混合室包含:
喷嘴,其用于聚集所述高压水流;及
砂馈送装置,其用于馈送砂以与所述经聚集的高压水流混合。
9、如权利要求8所述的水射流切割系统,其中所述砂馈送装置进一步包含:
送砂管,其馈送来自储砂装置的砂;及
第二真空装置,其用于促使所述送砂管中的砂的流动。
10、如权利要求9所述的水射流切割系统,其中所述砂为石英砂。
11、如权利要求1所述的水射流切割系统,其进一步包含控制装置,以用于根据所述半导体元件的材料及/或厚度控制所述切割装置的速度。
12、如权利要求1所述的水射流切割系统,其进一步包含控制装置,以用于根据所述半导体元件的材料及/或厚度控制所述切割装置的水压。
13、如权利要求1所述的水射流切割系统,其进一步包含视频装置,以用于协助定位所述切割装置的位置。
14、如权利要求1所述的水射流切割系统,其进一步包含z轴驱动装置,以提供所述切割装置的z轴方向的驱动力。
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