[发明专利]存储器单元与其非易失性装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器单元，且特别是有关于一种非易失性存储器单元。

背景技术

随机存取存储器元件主要可以分为动态随机存取存储器(DynamicRandom Access Memory，简称DRAM)及静态随机存取存储器(Static RandomAccess Memory，简称SRAM)。静态随机存取存储器的优点在于快速操作及低耗电，且相较于动态随机存取存储器，静态随机存取存储器不须进行周期性充电更新，在设计及制造上较为简单。因此，静态随机存取存储器被广泛的应用于资讯电子产品中。

由于静态随机存取存储器为一种易失性(Volatile)存储器，其是以存储单元内的电晶体导电状态来储存资料。因此，当供应至存储器的电力消除后，在静态随机存取存储器中所储存的资料将完全的消失。

另一方面，可电抹除且可编程唯读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory，简称EEPROM)由于具有可多次进行资料的存入、读取、抹除等动作，且存入的资料在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器元件。

然而，随着科技不断地进步，集成电路技术一日千里，资讯电子产品也十分普及，例如电脑、行动电话、数字相机或个人数字助理(PersonalDigital Assistant，简称PDA)…等等。资讯电子产品所需要处理、储存的资料也随之日益增加，同时又也必须兼顾轻薄短小、方便携带等特性。因此，为了避免电源关闭时，静态随机存取存储器中资料会消失的缺点，发展一种能够兼具静态随机存取存储器的快速操作与快闪存储器的储存资料两者的优点的半导体元件，是相当有必要的。

发明内容

本发明提供一种存储器单元，将存储器单元中的资料储存于非易失性装置中，使存储器单元中的资料不会因电源关闭而消失。

本发明提供一种非易失性装置的制造方法，此非易失性装置适用于存储器单元，藉以避免存储器单元中的资料因电源关闭而消失。

本发明提出一种存储器单元包括第一金氧半导体、第二金氧半导体、第一非易失性装置与第二非易失性装置。第一金氧半导体的第一端耦接第一接点，且该第一接点耦接于第一电压。第一金氧半导体的第二端耦接第二电压。第一金氧半导体的栅极端耦接第二接点。第二金氧半导体的第一端耦接第二接点，且该第二接点耦接于第一电压。第二金氧半导体的第二端耦接第三电压。第二金氧半导体的栅极端耦接第一接点。第一非易失性装置具有分离式栅极结构。第一非易失性装置的控制栅极端耦接第一控制偏压。第一非易失性装置的选择栅极端耦接第一选择偏压。第一非易失性装置的第一端耦接第一接点。第一非易失性装置的第二端耦接第一位元线。第二非易失性装置具有分离式栅极结构。第二非易失性装置的控制栅极端耦接第二控制偏压。第二非易失性装置的选择栅极端耦接第二选择偏压。第二非易失性装置的第一端耦接第二接点。第二非易失性装置的第二端耦接第二位元线。

在本发明的一实施例中，上述的存储器单元，其中第一非易失性装置与第二非易失性装置分别包括基底、电荷储存层、控制栅极、选择栅极与栅介电层。基底具有源极区和漏极区。电荷储存层配置于基底的部分区块上。控制栅极配置于电荷储存层上。选择栅极覆于基底的部分区块上与控制栅极的部分区块上。栅介电层配置于选择栅极与基底之间、选择栅极与电荷储存层之间以及选择栅极与控制栅极之间。

在本发明的一实施例中，上述的存储器单元，其中第一非易失性装置与该第二非易失性装置分别包括基底、浮置栅极、控制栅极、选择栅极与栅介电层。基底具有源极区和漏极区。浮置栅极配置于基底的部分区块上。控制栅极配置于浮置栅极的部分区块上。选择栅极覆于基底的部分区块上与浮置栅极的部分区块上。栅介电层配置于选择栅极与基底之间、选择栅极与浮置栅极之间、基底与浮置栅极之间以及浮置栅极与控制栅极之间。

在本发明的一实施例中，上述的存储器单元更包括第一负载单元与第二负载单元。第一负载单元耦接于第一电压与第一接点之间。第二负载单元耦接于该第一电压与该第二接点之间。