[发明专利]具有聚光杯的发光二极管封装制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装制作方法，特别涉及一种具有聚光杯的发光二极管封装制作方法。

背景技术

发光二极管(Light emitting diode，LED)因为利用直接能带隙(direct bandgap)发光，且可以由半导体工艺生产，所以具有高效率及低成本的优点。随着蓝光二极管的研发成功和功率提高，发光二极管在一般照明(general lighting)及背光(back light)应用方面也逐渐受到人们的重视。

参见图1，美国专利20050274959揭露了一种高功率发光二极管封装，借以封装高功率发光二极管芯片401。如图1所示，该高功率发光二极管封装主要包含硅基座(silicone submount)402、散热座409及聚光杯413。硅基座402具有凹槽和位于凹槽中的电极(未标号)。发光二极管芯片401以覆晶方式安装在硅基座402的凹槽中，且经由焊锡414a及414b电连接到凹槽中的电极。凹槽中的电极借由焊接线412a及412b而连接到位于散热座409上的外部电极406a及406b，以与外部电源连接，借以为发光二极管芯片401提供电力。聚光杯413安装在散热座409上，以使发光二极管芯片401所发出的光线可以集中。

然而上述已知的高功率发光二极管的封装存在以下缺点：聚光杯413中仍有残存空气，造成光线行进的损耗和内部组件的老化。

发明内容

因此本发明的目的在于提供一种可降低空气中光损耗的发光二极管封装制作方法。

为达到上述目的，本发明提供一种具有聚光杯的发光二极管封装制作方法，在制作具有至少一个凹槽的硅基座后，将发光二极管安置在所述凹槽内。将所述硅基座与具有至少一个通孔的导热板结合后，再在导热板上安装聚光杯，以包覆所述硅基座；利用所述通孔将聚光杯与导热板之间的空气抽走后封闭所述通孔。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于，由于发光二极管封装于真空环境中，因此可以降低光损耗。

附图说明

图1是现有技术的发光二极管封装的侧视图；

图2是根据本发明的优选实施方案的发光二极管封装制作方法的流程图；

图3A至图3J是与图2中的步骤对应的侧视图；

图4是根据图2的流程图制成的发光二极管封装的侧视图；以及

图5是根据本发明的另一优选实施方案的发光二极管封装制作方法的流程图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

发光二极管芯片401        硅基座402

外部电极406a，406b       焊接线412a，412b

焊锡414a，414b           聚光杯413

散热座409

凹槽数组300              硅基座300a

光反射层302              透明绝缘层304

金属凸块306              发光二极管310

保护胶320                荧光层322

聚光杯340                金属接线312

导热板360                通孔362

外接电极364

具体实施方式

图2是根据本发明的优选实施方案的发光二极管封装制作方法的流程图，所述方法包含下列步骤。

步骤200(同时参照图3A)，在硅晶片上使用非等向性湿蚀刻方式，制作出具有多个凹槽的凹槽数组300，其中非等向性湿蚀刻方式可以用KOH或TMAH(四甲基氢氧化铵)来进行。硅晶片可以选用外延硅晶片，且非等向性湿蚀刻之后凹槽深度为100-300毫米，凹槽角度θ为15-140度。

步骤202(同时参照图3B)，在凹槽数组300上镀上一层光反射层302。

步骤204(同时参照图3C)，在光反射层302上成长一层透明绝缘层304。

步骤206(同时参照图3D)，在每一凹槽数组300的凹槽中，在透明绝缘层304上形成金属凸块306。金属凸块306可以用举离法(Liftoff)或电镀方式形成于透明绝缘层304上。

步骤208(同时参照图3E)，将发光二极管310安置在每个金属凸块306上，且发光二极管310的阴极和阳极(未图标)在与金属凸块306相反的一侧。发光二极管310例如可以为氮化镓系(GaN-based)蓝光发光二极管，且阴极及阳极都位于蓝光发光二极管的一侧。