[发明专利]增加微影产量的设备及其方法

权利要求书

1.一种微影设备，其特征在于其包含：

一第一透镜系统；

一第一基材基台，用以支撑一基材，并接受来自该第一透镜系统的一第一辐射能，且该第一基材基台在一曝光步骤中，相对一第一影像源移动于该第一透镜系统下方；

一第二透镜系统，具有高于该第一透镜系统的解析度；以及

一第二基材基台，邻近于该第一基材基台，以接收来自该第二透镜系统的一第二辐射能，该第二基材基台用以自该第一基材基台接收该基材，并相对一第二影像源移动于该第二透镜系统下方。

2.根据权利要求1所述的微影设备，其特征在于其中所述的第一影像源为一第一光罩，其中所述的第一透镜系统用以合并第一辐射能与来自该第一光罩定义的影像，并曝光位于第一基材基台上的基材的多个边缘区域。

3.根据权利要求2所述的微影设备，其特征在于其中所述的第一光罩包含一仿真图案，该仿真图案转移至基材上的所述边缘区域。

4.根据权利要求3所述的微影设备，其特征在于其中所述的第一光罩选自于一光罩组，以形成不同的仿真图案于不同的基材上。

5.根据权利要求1所述的微影设备，其特征在于其中所述的第二影像源为一第二光罩，其中所述的第二透镜系统用以合并第二辐射能与来自该第二光罩定义的影像，并曝光位于第二基材基台上的基材的多个主要区域。

6.根据权利要求1所述的微影设备，其特征在于其中更包含一辐射源，以提供第一辐射能及第二辐射能。

7.一种微影设备，其特征在于其包含：

一第一基材基台与一第二基材基台，该第一基材基台与该第二基材基台用以固定并移动一基材，其中该第一基材基台与该第二基材基台彼此相邻，并传送该基材于该第一基材基台与该第二基材基台之间；

一第一透镜系统，以曝光位于该第一基材基台的该基材；以及

一第二透镜系统，具有高于该第一透镜系统的一较高解析度，以曝光位于该第二基材基台的该基材。

8.根据权利要求7所述的微影设备，其特征在于其中所述的基材位于第一基材基台，第一透镜系统用以曝光该基材的多个边缘区域。

9.根据权利要求7所述的微影设备，其特征在于其中所述的基材位于第二基材基台，第二透镜系统用以曝光多个主要区域于该基材。

10.根据权利要求7所述的微影设备，其特征在于其中所述的基材包含一半导体晶圆，且一成像层覆盖于其上。

11.一种微影制程，其特征在于其包含：

放置一基材于一第一基材基台；

利用一第一透镜系统曝光该基材的多个边缘区域；

转移该基材至一第二基材基台；以及

利用具有高于该第一透镜系统的一较高解析度的一第二透镜系统，曝光该基材的多个主要区域。

12.根据权利要求11所述的微影制程，其特征在于其中更包含于放置基材前，形成一光阻层于该基材。

13.根据权利要求11所述的微影制程，其特征在于其中所述的基材包含一硅晶圆。

14.根据权利要求11所述的微影制程，其特征在于其中更包含于利用第二透镜系统曝光基材的主要区域时，利用第一透镜系统曝光一第二基材的多个边缘区域。

15.根据权利要求11所述的微影制程，其特征在于其中更包含利用具有一仿真图案的一第一光罩，以配合基材的所述边缘区域。