[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
申请号: | 200710107404.0 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101071841A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 藤仓序章 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛松生 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
1.一种氮化物半导体发光元件,其特征在于,在衬底上至少叠层n型层、由多对InGaN阱层/InGaN阻挡层构成的多重量子阱活性层、以及p型层,所述的多重量子阱活性层所含有的InGaN阻挡层的组成由InxGa1-xN(0.04≤x≤0.1)表示,并且,包括上述InGaN阻挡层,发光元件中含有的In组成比为0.04~0.1范围的InGaN层的厚度的合计为60nm以下。
2.权利要求1所述的氮化物半导体发光元件,其特征在于,所述活性层的发光峰波长在430~560nm的范围。
3.权利要求1所述氮化物半导体发光元件,其特征在于,所述InGaN阻挡层的厚度为5~20nm的范围。
4.权利要求1所述的氮化物半导体发光元件,其特征在于,在所述多重量子阱活性层和所述n型层之间,插入了In组成比为0.04~0.1范围的InGaN层。
5.权利要求1所述的氮化物半导体发光元件,其特征在于,在衬底上形成的GaN层或AlyGa1-yN层(0<y<0.5)之上,形成所述的多重量子阱活性层。
6.权利要求1所述的氮化物半导体发光元件,其特征在于,所述的衬底是由蓝宝石、Ga2O3、SiC、Si、GaN、AlN中的任一种构成的单晶衬底。
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