[发明专利]用于形成半导体器件的结构和方法无效
| 申请号： | 200710107413.X | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101075563A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;R·J·珀特尔;H·K·乌托莫;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/43;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 结构 方法 | ||
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
形成至少一个包括源极区域和漏极区域的场效应晶体管(FET)；
在所述至少一个FET的所述源极和漏极区域上形成金属层，其中所述金属层包括能够与硅反应形成内部应力的金属硅化物的硅化物金属M；
进行第一退火步骤，以分别在所述至少一个FET的所述源极和漏极区域中形成源极和漏极金属硅化物层，其中所述源极和漏极金属硅化物层包括第一相(MSix)的金属硅化物；
在所述至少一个FET上形成氮化硅层；以及
进行第二退火步骤，以将所述金属硅化物从所述第一相(MSix)转化为第二相(MSiy)，其中x＜y，并且其中所述金属硅化物相的转化在所述至少一个FET的所述源极和漏极金属硅化物层中产生内部拉伸或压缩应力。
2.根据权利要求1的方法，其中所述淀积的氮化硅层没有内部应力。
3.根据权利要求1的方法，其中所述FET为n沟道FET(n-FET)，其中所述金属层包括钴，并且其中通过所述金属相的转化在所述n-FET的所述源极和漏极金属硅化物层中产生内部拉伸应力。
4.根据权利要求3的方法，其中所述淀积的氮化硅层包括内部拉伸应力。
5.根据权利要求1的方法，其中所述FET为p沟道FET(p-FET)，其中所述金属层包括钯，并且其中通过所述金属相的转化在所述p-FET的所述源极和漏极金属硅化物层中产生内部压缩应力。
6.根据权利要求5的方法，其中所述淀积的氮化硅层包括内部压缩应力。
7.根据权利要求1的方法，还包括在所述第二退火步骤之后从所述FET除去所述淀积的氮化硅层，并接着淀积层间介质层和形成源极、漏极、和栅极接触。
8.根据权利要求1的方法，其中在所述第二退火步骤之后所述淀积的氮化硅层保留在了所述n-FET中，并接着淀积层间介质层和形成源极、漏极、和栅极接触。
9.根据权利要求1的方法，其中所述第一退火在范围从约300℃到约600℃的第一退火温度下进行，而其中所述第二退火在范围从约400℃到约800℃的第二退火温度下进行。
10.根据权利要求1的方法，其中形成另一FET，所述另一FET也包括源极区域和漏极区域并与所述至少一个FET互补，其中在所述至少一个FET和所述另一FET的所述源极和漏极区域上淀积所述金属层，并且其中在所述至少一个FET上，但不在所述另一FET上选择性地形成所述氮化硅层，以使所述金属硅化物相的转化不会在所述另一FET的所述源极和漏极区域中产生应力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
