[发明专利]晶片和绝缘特性监测方法

权利要求书

1.一种晶片，所述晶片包括：

多个磁头元件，所述磁头元件具有：

上磁层；

下磁层，所述下磁层与所述上磁层电连接；

绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及

由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中；和

至少一个磁头监测元件，所述磁头监测元件具有：

上磁层；

下磁层；

绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及

由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中，所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层电隔离。

2.根据权利要求1所述的晶片，

在所述磁头监测元件中，所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线圈层相隔离。

3.根据权利要求1所述的晶片，

在所述磁头监测元件中，所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下磁层相隔离。

4.根据权利要求1所述的晶片，

在所述磁头监测元件中，所述线圈层包括上线圈层和下线圈层；并且所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层相隔离。

5.一种用于对晶片上的磁头元件的绝缘进行监测的绝缘特性监测方法，该绝缘特性监测方法包括以下步骤：

磁头元件设置步骤，其在所述晶片上设置多个磁头元件，所述多个磁头元件中的每一个都具有：

上磁层；

下磁层，所述下磁层与所述上磁层电连接；

绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及

由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中；和

磁头监测元件设置步骤，其设置至少一个磁头监测元件，所述磁头监测元件具有：

上磁层；

下磁层；

绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及

由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中，

所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层电隔离；以及测量步骤，其对所述磁头监测元件的绝缘特性进行测量，以对所述多个磁头元件的绝缘进行监测。

6.根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述测量步骤中，对所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层之间的绝缘特性进行测量。

7.根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件设置步骤中，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线圈层相隔离；并且

所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线圈层之间的绝缘特性进行测量。

8.根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件设置步骤中，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下磁层相隔离；并且

所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下磁层之间的绝缘特性进行测量。

9.根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件设置步骤中，所述线圈层包括上线圈层和下线圈层，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层相隔离；并且

所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层之间的绝缘特性进行测量。