[发明专利]图像感测器微透镜结构的制作方法无效
申请号: | 200710108273.8 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101320103A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 余政宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00;H01L21/71;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 感测器微 透镜 结构 制作方法 | ||
1.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:
提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;
进行第一光刻工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;
进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;
进行第一表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;
进行第二光刻工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及
进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。
2.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一光刻工艺还包含:
在该平坦层表面形成第一微透镜材料层;以及
进行该第一光刻工艺,利用第一棋盘式掩模图案化该第一微透镜材料层并形成该第一组微透镜凸块。
3.如权利要求2所述的制作方法,其中该第二光刻工艺还包含:
在该平坦层表面形成第二微透镜材料层;以及
进行该第二光刻工艺,利用第二棋盘式掩模图案化该第二微透镜材料层并形成该第二组微透镜凸块。
4.如权利要求3所述的制作方法,其中该第一棋盘式掩模与该第二棋盘式掩模为相同的掩模。
5.如权利要求4所述的制作方法,其中该第一组微透镜凸块与该第二组微透镜凸块为相差间距单位的相对应二阵列图案。
6.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一表面处理包含有去光刻胶处理、紫外光固化处理、漂白处理、或化学药剂处理。
7.如权利要求6所述的制作方法,其中该去光刻胶处理包含有含氧等离子体。
8.如权利要求7所述的制作方法,其中该含氧等离子体更用以蚀刻该平坦层以在该第一组微透镜结构间形成多个凹槽。
9.如权利要求8所述的制作方法,其中该凹槽的深度为200~1000埃。
10.如权利要求6所述的制作方法,其中该化学药剂处理包含有N-甲基吡咯酮与丙酮。
11.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构的高度与该第二组微透镜结构的高度为相同。
12.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构的高度与该第二组微透镜结构的高度为不相同。
13.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构与该第二组微透镜结构分别对应于该半导体基底上的彩色滤光阵列。
14.如权利要求1所述的制作方法,还包含第二表面处理,进行于该第二烘烤工艺之后,用以固化该第二组微透镜结构的表面。
15.如权利要求14所述的制作方法,其中该第二表面处理包含有去光刻胶处理、紫外光固化处理、漂白处理、或化学药剂处理。
16.如权利要求14所述的制作方法,还包含第三组微透镜结构的形成步骤,进行于该第二表面处理之后,该步骤包含有:
在该平坦层表面形成第三微透镜材料层;
在该平坦层表面形成第三组微透镜凸块;以及
进行第三烘烤工艺,以在该平坦层表面形成该第三组微透镜结构。
17.如权利要求16所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构、该第二组微透镜结构与该第三组微透镜结构的高度为相同。
18.如权利要求16所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构、该第二组微透镜结构与该第三组微透镜结构的高度为不相同。
19.如权利要求16所述的制作方法,其中该第一组微透镜结构、该第二组微透镜结构、与该第三组微透镜结构分别对应于该半导体基底上的彩色滤光阵列。
20.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:
提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;
进行第一光刻工艺,利用第一棋盘式掩模在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;
进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;
进行表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;
进行第二光刻工艺,位移该第一棋盘式掩模间距单元而在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及
进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。
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