[发明专利]微带分段可变衰减器无效
申请号: | 200710108328.5 | 申请日: | 2007-05-12 |
公开(公告)号: | CN101079606A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 阎跃军;阎跃鹏 | 申请(专利权)人: | 阎跃军;阎跃鹏 |
主分类号: | H03H7/24 | 分类号: | H03H7/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518045广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微带 分段 可变 衰减器 | ||
1、一种微带分段可变衰减器,其包括:基体、共同接地端、信号输入端、信号输出端,其特征在于:所述微带分段可变衰减器还包括在所述基体上的至少一个无源固定衰减器,所述无源固定衰减器的两信号端通过信号微带线相串联,相串联形成的串联固定衰减器的两信号端分别与所述信号输入端和信号输出端相连接,所述的各无源固定衰减器的接地端分别与共同接地端相接地,所述微带分段可变衰减器还包括至少一控制所述无源固定衰减器的两信号端连接以使所述无源固定衰减器短路的导电片和用来移动该导电片位置的拨动开关。
2、根据权利要求1所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:该微带分段可变衰减器可制作在同轴连接器内,该拨动开关制作在该同轴连接器的外部。
3、根据权利要求1或2所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:所述基体可以是多层基体,所述无源固定衰减器制作在基体的表层或内层,所述导电片和所述拨动开关制作在基体的表层,所述无源固定衰减器的两信号端连接到所述导电片所在基体的表层。
4、根据权利要求3所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:在与导电片相接触的所述基体的另外一表面有一个绝缘衬片或绝缘衬底。
5、根据权利要求1、2或3所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:该无源固定衰减器也可以是具有温度补偿功能的无源固定衰减器。
6、一种微带分段可变衰减器,其包括:基体、共同接地端、信号输入端、信号输出端,其特征在于:所述微带分段可变衰减器还包括在所述基体上的至少一个无源固定衰减器,所述无源固定衰减器的两信号端通过信号微带线相串联,相串联形成的串联无源固定衰减器的两信号端分别与所述信号输入端和信号输出端相连接,所述的各无源固定衰减器的接地端分别与共同接地端相接地,所述微带分段可变衰减器还包括至少一控制所述无源固定衰减器的两信号端连接以使所述无源固定衰减器短路的电控开关。
7、根据权利要求5所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:所述电控开关位于所述基体的表层或内层,所述多个无源固定衰减器与所述电控开关位于所述基体的同一层或不同层,若所述电控开关与所述无源固定衰减器不同层,则所述无源固定衰减器的两端连接到所述电控开关所在的层。
8、根据权利要求7所述的微带分段可变衰减器,其特征在于:该无源固定衰减器也可以是具有温度补偿功能的无源固定衰减器。
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