[发明专利]处理基材的设备和方法

权利要求书

1.一种基材处理设备，包括：

带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在所述卡盘上；

底部室，所述底部室具有打开的顶部并用于围住所述卡盘的周边；

顶部室，所述顶部室用于打开或关闭所述底部室的顶部，使得在所述顶部室与外部隔离时使所述基材干燥；以及

直接喷嘴部件，所述直接喷嘴部件安装在所述顶部室，用于在所述底部室的顶部关闭时将流体直接喷射到所述基材上。

2.如权利要求1所述的基材处理设备，还包括：

间接喷嘴部件，所述间接喷嘴部件安装在所述顶部室的边缘中并用于向所述顶部室的中心喷射流体，使得流体间接地喷射到所述基材上。

3.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述直接喷嘴部件可以移动以改变流体喷射点。

4.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述直接喷嘴部件包括：

置于所述顶部室的下表面上的非直线第一喷嘴和第二喷嘴，每个喷嘴在一端具有干燥流体喷射孔；以及

与所述第一喷嘴和第二喷嘴的各自另一端连接并具有通道的轴，流体经所述通道供应到所述第一喷嘴和第二喷嘴。

5.如权利要求4所述的基材处理设备，其中所述直接喷嘴部件还包括：

第一驱动部件，用于旋转所述轴以改变所述第一喷嘴和第二喷嘴的流体喷射点。

6.如权利要求4所述的基材处理设备，其中所述直接喷嘴部件还包括：

第二驱动部件，用于使所述轴上升或下降以改变所述第一喷嘴和第二喷嘴的流体喷射高度。

7.如权利要求4所述的基材处理设备，其中在所述顶部室的边缘限定放置所述直接喷嘴部件的第一喷嘴和第二喷嘴的收容空间。

8.如权利要求7所述的基材处理设备，其中所述收容空间位于所述基材的边缘的外部。

9.如权利要求4所述的基材处理设备，其中所述第一喷嘴和第二喷嘴的每一个均为弓形，并放置在位于所述顶部室的边缘处的收容空间中，以抑制对其他处理的干预。

10.如权利要求7所述的基材处理设备，其中所述第一喷嘴用于喷射清洁基材的流体，所述第二喷嘴用于喷射干燥所述基材的流体。

11.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述顶部室包括：

流动引导部件，用于将从所述间接喷嘴部件喷射的流体的流动导向所述顶部室的上表面的中心，使得流体首先到达所述基材的中心。

12.如权利要求11所述的基材处理设备，其中所述流动引导部件包括从所述顶部室的上表面的中心向所述基材的中心突出的锥形导向突起。

13.如权利要求11所述的基材处理设备，其中所述顶部室还包括：

环形空间，用于将从所述间接喷嘴部件喷射的干燥流体导向所述顶部室的中心；

中心孔，经所述中心孔将沿所述环形空间在所述顶部室中心聚集的干燥流体排放到所述基材；以及

导向表面，用于引导经所述中心孔排放的干燥流体从所述基材的中心向边缘逐渐扩散，

其中所述流动引导部件包括从所述顶部室的上表面的中心向所述基材的中心突出的锥形导向突起。

14.如权利要求12所述的基材处理设备，其中所述间接喷嘴部件安装在所述顶部室的边缘，并排列成环形。

15.如权利要求14所述的基材处理设备，其中所述间接喷嘴部件用于将流体喷射到所述导向突起上。

16.一种基材处理方法，包括：

(a)将基材装载到设置在底部室内部的卡盘上；

(b)将清洁流体喷射到所述基材上以清洁所述基材；

(c)将冲洗流体喷射到所述基材上以冲洗所述基材；以及

(d)将干燥流体喷射到所述基材上以干燥所述基材，

其中在(d)中，安装在所述顶部室的直接喷嘴部件将干燥流体直接喷射到所述基材上，以在所述底部室被所述顶部室密封时干燥所述基材。

17.如权利要求16所述的基材处理方法，其中在(d)中，在所述底部室被所述顶部室密封之前，从安装在所述顶部室中的间接喷嘴部件喷射的干燥流体在所述顶部室内部形成干燥流体气氛。