[发明专利]树脂密封的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括有机基板、设置在该基板上的至少一个半导体元件、密封该有机基板和该半导体元件的固化的树脂组合物，其中，

从配备了该半导体装置的半导体元件的基板面的任一顶点，使用激光三维测定机测定的、在对角线方向上的高度位移差的最大值为-600μm～+600μm，但不包括-600μm和+600μm两点的数值，

该半导体元件的总体积相对于该半导体装置的总体积的比例为18～50％，

该固化的树脂组合物包含(C)无机填充剂，

无机填充剂的质量/固化的树脂组合物的质量为80～90％。

2.按照权利要求1所述的半导体装置，其中，上述半导体元件的总体积相对于该半导体装置的总体积的比例为20～45％。

3.按照权利要求1所述的半导体装置，其中，位移差的最大值为-500μm～+500μm。

4.按照权利要求2所述的半导体装置，其中，位移差的最大值为-500μm～+500μm。

5.按照权利要求1所述的半导体装置，其中，上述无机填充剂(C)包含至少一种球形状的填充剂。

6.按照权利要求2所述的半导体装置，其中，上述无机填充剂(C)包含至少一种球形状的填充剂。

7.按照权利要求3所述的半导体装置，其中，上述无机填充剂(C)包含至少一种球形状的填充剂。

8.按照权利要求4所述的半导体装置，其中，上述无机填充剂(C)包含至少一种球形状的填充剂。

9.按照权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，上述无机填充剂(C)包含至少一种含有二氧化硅的填充剂。

10.按照权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，上述有机基板为双马来酰亚胺三嗪树脂基板。

11.按照权利要求9所述的半导体装置，其中，上述有机基板为双马来酰亚胺三嗪树脂基板。

12.按照权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，上述半导体装置为板上芯片球栅阵列封装。

13.按照权利要求9所述的半导体装置，其中，上述半导体装置为板上芯片球栅阵列封装。

14.按照权利要求10所述的半导体装置，其中，上述半导体装置为板上芯片球栅阵列封装。

15.按照权利要求11所述的半导体装置，其中，上述半导体装置为板上芯片球栅阵列封装。

16.一种组合物，其用于半导体密封，该组合物包含：

(A)环氧树脂、

(B)固化剂，相对于(A)环氧树脂中含有的环氧基团1摩尔，其含量为0.5～1.5摩尔、

(C)无机填充剂、以及

(D)固化促进剂，其中，

(C)无机填充剂包含：

(C1)至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数为1.0×10^-5/℃～3.0×10^-5/℃的无机填充剂、

(C2)至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数低于1.0×10^-5/℃的无机填充剂，

无机填充剂的质量/固化的树脂组合物的质量为80～90％，并且，

至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数为1.0×10^-5/℃～3.0×10^-5/℃的无机填充剂的质量/固化的树脂组合物的质量为5～45％。

17.按照权利要求16所述的组合物，其中，上述至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数为1.0×10^-5/℃～3.0×10^-5/℃的无机填充剂为方英石。

18.按照权利要求16所述的组合物，其中，上述至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数为1.0×10^-5/℃～3.0×10^-5/℃的无机填充剂为球状。

19.按照权利要求17所述的组合物，其中，上述至少一种40℃～400℃的平均热膨胀系数为1.0×10^-5/℃～3.0×10^-5/℃的无机填充剂为球状。