[发明专利]相变化存储器无效
| 申请号： | 200710108889.5 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320783A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘应励 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 | ||
1.一种相变化存储器，包括：
第一电极与第二电极；
第一相变化材料层形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与该第二电极通过该第一相变化材料层达成电性连结；以及
碳掺杂的氧化物介电层包覆该第一相变化材料层的侧壁。
2.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该第一相变化材料层包含硫属化合物。
3.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该第一电极或第二电极的材料包含TaN、W、TiN、或TiW
4.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该第一电极为下电极、该第二电极为上电极，且该相变化材料层与该第一及第二电极直接接触。
5.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该第一相变化材料层与第一及第二电极直接接触的面积小于光刻蚀刻工艺的极限。
6.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该碳掺杂的氧化物介电层的热传导系数小于0.4W/m-k。
7.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该碳掺杂的氧化物介电层为碳掺杂的氧化硅。
8.如权利要求1所述的相变化存储器，其中一部分的该碳掺杂的氧化物介电层与该第一电极或第二电极接触，形成环领结构。
9.如权利要求1所述的相变化存储器，还包含：
围绕在该碳掺杂的氧化物介电层之外的介电层。
10.如权利要求9所述的相变化存储器，还包含：
第二相变化材料层形成于该介电层之外，且不与该第一电极与第二电极接触。
11.如权利要求1所述的相变化存储器，其中该碳掺杂的氧化物介电层为垫层，其厚度介于200～700nm。
12.一种相变化存储器，包括：
下电极与上电极；
第一相变化材料层形成于该下电极与上电极之间，使得该上电极与该下电极通过该第一相变化材料层达成电性连结；以及
碳掺杂的氧化硅层包覆该第一相变化材料层的侧壁。
13.如权利要求12所述的相变化存储器，其中该第一相变化材料层包含硫属化合物所构成。
14.如权利要求12所述的相变化存储器，其中该下电极或上电极的材料包含TaN、W、TiN、或TiW。
15.如权利要求12所述的相变化存储器，其中该第一相变化材料层与第一及第二电极直接接触的面积小于光刻蚀刻工艺的极限。
16.如权利要求12所述的相变化存储器，其中该碳掺杂的氧化硅层的热传导系数小于0.4W/m-k。
17.如权利要求12所述的相变化存储器，其中部分的该碳掺杂的氧化物介电层与该上电极或下电极接触，形成环领结构。
18.如权利要求12所述的相变化存储器，还包含：
围绕在该碳掺杂的氧化物介电层之外的介电层。
19.如权利要求18所述的相变化存储器，还包含：
第二相变化材料层形成于该介电层之外，且不与该上电极与下电极接触。
20.如权利要求12所述的相变化存储器，其中该碳掺杂的氧化硅层为垫层，其厚度介于200～700nm。
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