[发明专利]氧氮化物荧光体以及发光器件有效
申请号: | 200710108894.6 | 申请日: | 2007-06-05 |
公开(公告)号: | CN101085918A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 高桥向星;广崎尚登 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴;巫肖南 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 荧光 以及 发光 器件 | ||
1.一种氧氮化物荧光体,其由组成式M(1)1-a-jM(2)jCeaSibAlcOdNe即组成式II表示;以及
在所述组成式II中,所述M(1)表示La,所述M(2)表示选自Ca、Sr和Ba中的至少一种碱土金属元素,所述表示Ce组成比的a为满足0.1≤a<1的实数,以及所述碱土金属元素的组成比j为0<j<1-a;
在上述组成式II中,所述表示Si组成比的b为满足b=(6-z)×f的实数,所述表示Al组成比的c为满足c=(1+z)×g的实数,所述表示O组成比的d为满足d=z×h的实数,所述表示N组成比的e为满足e=(10-z)×i的实数,所述z为满足0.1≤z≤3的实数,所述f为满足0.7≤f≤1.3的实数,所述g为满足0.7≤g≤3的实数,所述h为满足0.7≤h≤3的实数,所述i为满足0.7≤i≤1.3的实数,所述d为满足1<d≤2的实数,所述e为满足8<e<9的实数;以及
该氧氮化物荧光体含70%或以上的由M(1)1-a-jM(2)jCeaAl(Si6-zAlz)N10-zOz表示的JEM相。
2.根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其中发射峰波长为450nm~510nm。
3.根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其中该氧氮化物荧光体由组成式M(1)1-a-jM(2)jCeaSibAlcOdNe即组成式II表示,并且所述碱土金属元素包含钙。
4.根据权利要求3的氧氮化物荧光体,其中所述钙的组成比为0<j<0.75。
5.根据权利要求3的氧氮化物荧光体,其中所述钙的组成比为0<j<(1-a)×0.75。
6.根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其中该氧氮化物荧光体由M(1)1-a-jM(2)jCeaSibAlcOdNe即组成式II表示,并且所述碱土金属元素包含锶。
7.根据权利要求6的氧氮化物荧光体,其中所述锶的组成比为0<j<0.85。
8.根据权利要求6的氧氮化物荧光体,其中所述锶的组成比为0<j<(1-a)×0.85。
9.根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其中该氧氮化物荧光体由M(1)1-a-jM(2)jCeaSibAlcOdNe即组成式II表示,并且所述碱土金属元素包含钡。
10.根据权利要求9的氧氮化物荧光体,其中所示钡的组成比为0<j<0.5。
11.根据权利要求9的氧氮化物荧光体,其中所述钡的组成比为0<j<(1-a)×0.5。
12.根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其中对波长510nm~800nm的光的吸收率为30%或以下。
13.一种发光器件,其包括
发射激发光的半导体发光元件,
第一荧光体,即根据权利要求1的氧氮化物荧光体,其吸收所述激发光并发射荧光,以及
一种或多种第二荧光体,其吸收上述激发光且发射波长比所述第一荧光体所发射的荧光的波长长的荧光。
14.根据权利要求13的发光器件,其中所述第一荧光体的发射峰波长为450nm~510nm。
15.根据权利要求13的发光器件,其中所述第一荧光体的发射光谱半高宽为80nm或以上。
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