[发明专利]栅极与栅极材料的制造方法无效
| 申请号： | 200710109013.2 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101325214A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 施俊吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/49;H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 材料 制造 方法 | ||
1、一种栅极，设置于栅极介电层上，包括：
导体缓冲层，设置于该栅极介电层上，该导体缓冲层的平均晶粒尺寸约小于100纳米；以及
导体层，设置于该导体缓冲层上，且该导体层的平均晶粒尺寸约大于或等于100纳米。
2、如权利要求1所述的栅极，其中该导体缓冲层与该导体层的材质包括多晶硅。
3、如权利要求1所述的栅极，其中该导体层的材质包括掺杂多晶硅。
4、如权利要求1所述的栅极，其中该导体层的材质包括掺杂N型杂质的多晶硅。
5、如权利要求1所述的栅极，其中该栅极适用于互补式金氧半晶体管。
6、如权利要求1所述的栅极，其中该栅极适用于互补式金氧半晶体管图像传感器。
7、如权利要求1所述的栅极，其中该导体缓冲层的厚度约大于或等于300埃。
8、一种栅极材料的制造方法，包括：
形成导体缓冲层，该导体缓冲层的平均晶粒尺寸约小于100纳米。
9、如权利要求8所述的栅极材料的制造方法，其中该栅极材料的材质包括多晶硅。
10、如权利要求9所述的栅极材料的制造方法，其中该导体缓冲层的形成方法包括化学气相沉积工艺，以硅甲烷为反应气体，气体流量介于0.15～0.35slm之间，反应压力介于30～60mTorr之间，而反应温度介于680～705℃之间。
11、如权利要求9所述的栅极材料的制造方法，还包括于形成该导体缓冲层之后，进行杂质注入工艺，且该导体缓冲层底部的平均晶粒尺寸维持约小于100纳米。
12、如权利要求8所述的栅极材料的制造方法，还包括于形成该导体缓冲层之后，于该导体缓冲层上形成导体层。
13、如权利要求12所述的栅极材料的制造方法，该导体层的平均晶粒尺寸约大于或等于100纳米。
14、如权利要求12所述的栅极材料的制造方法，其中该导体缓冲层的厚度约大于或等于300埃。
15、如权利要求12所述的栅极材料的制造方法，其中该导体缓冲层与该导体层的材质包括多晶硅，且该导体缓冲层与该导体层的形成方法包括化学气相沉积工艺。
16、如权利要求15所述的栅极材料的制造方法，其中该化学气相沉积工艺中，形成该导体缓冲层所使用的含硅气体的流量小于形成该导体层的含硅气体流量。
17、如权利要求15所述的栅极材料的制造方法，其中该化学气相沉积工艺中，形成该导体缓冲层的含硅气体的流量介于0.15～0.35slm之间，形成该导体层的含硅气体的流量介于0.25～0.45slm之间。
18、如权利要求15所述的栅极材料的制造方法，其中该化学气相沉积工艺的温度介于680～705℃之间。
19、如权利要求15所述的栅极材料的制造方法，其中该化学气相沉积工艺的压力介于30～60mTorr。
20、如权利要求12所述的栅极材料的制造方法，还包括于形成该导体层之后，进行杂质注入工艺。
21、如权利要求20所述的栅极材料的制造方法，还包括于该杂质注入工艺之后，进行退火步骤，其中，在该退火步骤之后，该导体缓冲层的平均晶粒尺寸维持约小于100纳米。
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