[发明专利]数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法

权利要求书

1.一种使用磁畴壁运动的数据存储装置，所述数据存储装置包括：

磁层，具有多个磁畴；

写头，设置在磁层的一端部；

读头，读取写入磁层的数据；以及

电流控制器，连接到写头和读头。

2.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，在磁层的另一端部设置读头。

3.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，在与写头邻近的磁层的部分设置读头。

4.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，写头是这样的结构，其中，依次布置第一电极、反铁磁层、铁磁层、分离层、磁层的所述端部和第二电极。

5.如权利要求4所述的数据存储装置，还包括：在磁层和写头之间的分离层。

6.如权利要求5所述的数据存储装置，其中，分离层是导电层。

7.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，读头是这样的结构，其中，依次布置第一电极、反铁磁层、第一铁磁层、分离层、第二铁磁层和第二电极。

8.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：在磁层和写头之间的分离层。

9.如权利要求7所述的数据存储装置，其中，分离层是绝缘层或导电层。

10.如权利要求8所述的数据存储装置，其中，分离层是绝缘层或导电层，并且导电层的电阻大于磁层的电阻的10-100倍。

11.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：驱动装置，连接到磁层，并且提供能量，所述能量用于移动在所述多个磁畴的邻近磁畴之间的壁。

12.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，磁层是线性磁层。

13.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，在磁层的表面上形成多个凹口。

14.如权利要求2所述的数据存储装置，还包括：二极管，作为连接到磁层并且提供能量的驱动装置，所述能量用于移动在所述多个磁畴的邻近磁畴之间的壁。

15.如权利要求3所述的数据存储装置，其中，写头和读头每个都被设置以分别相应于彼此相邻的比特区。

16.如权利要求3所述的数据存储装置，还包括：堆栈存储器，连接到读头和电流控制器。

17.一种操作数据存储装置的方法，所述方法包括：

使用在磁层的一端部设置的读头读取磁层的所述端部的数据，在所述磁层的另一端部设置写头；

将磁层的磁畴壁向一端部移动与一个磁畴的长度相应的距离；以及

使用写头和连接到写头和读头的电流控制器将读取的数据写入到磁层的所述另一端部。

18.如权利要求17所述的方法，其中，依次重复：读取磁层的所述端部的数据，将磁层的磁畴壁向所述端部移动与一个磁畴的长度相应的距离，并且将读取的数据写入磁层的所述另一端部。

19.一种操作数据存储装置的方法，所述方法包括：

通过将磁层的磁畴壁向磁层的一端部移动与一个磁畴的长度相应的距离，使用在磁层设置的读头读取写入到磁层的数据，并且将从磁层读取的数据存储在连接到读头的堆栈存储器中；以及

通过将磁层的磁畴壁向磁层的另一端部移动与一个磁畴的长度相应的距离，使用在磁层的所述端部设置的写头和连接到写头和堆栈存储器的电流控制器将存储在堆栈存储器中的数据写入磁层。

20.如权利要求19所述的方法，其中，在与写头邻近的磁层的部分提供读头。