[发明专利]分段场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：

提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；

制备形成体，所述形成体包括壁和第二层，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及

将所述形成体转移到所述第一层内产生由所述晶体半导体材料组成的内核，所述内核包括所述场效应器件的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。

2.根据权利要求1的方法，还包括将栅电极与所述至少一个垂直取向部分和所述至少一个水平取向部分接合的步骤。

3.根据权利要求1的方法，还包括将第三层淀积在部分所述内核上的步骤，其中所述部分包括所述场效应器件的源/漏区。

4.根据权利要求3的方法，还包括选择由所述晶体半导体材料组成的所述第三层，并选择通过选择性外延进行的所述淀积的步骤。

5.根据权利要求1的方法，还包括将所述晶体半导体材料选择为Si基材料的步骤。

6.根据权利要求5的方法，还包括将所述Si基材料选择为Si的步骤。

7.根据权利要求1的方法，还包括选择所述绝缘层为设置在Si晶片上的埋置的SiO₂层的步骤。

8.根据权利要求1的方法，还包括将所述第二层选择为SiO₂层，将所述壁选择为Si₃N₄的步骤。

9.根据权利要求8的方法，还包括以下步骤：

在所述SiO₂层的顶部淀积和构图第四层；

在所述第四层的所述图形周围形成所述Si₃N₄壁；

蚀刻，从而部分除去所述外部中的所述SiO₂层；以及

蚀刻，从而仅留下所述第一层上的所述Si₃N₄壁和所述SiO₂层，由此制备了所述形成体。

10.根据权利要求9的方法，还包括将所述第四层选择为非晶Si层的步骤。

11.根据权利要求9的方法，还包括在所述内部设置第五层以保护所述SiO₂层的步骤。

12.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

使用第一蚀刻除去所述外部中的所述第二层；

使用第二蚀刻除去所述内部中的所述第二层，并部分除去所述外部中的所述第一层；以及

使用第三蚀刻除去所述外部中的所述第一层，由此转移了所述形成体。

13.根据权利要求12的方法，还包括使用第四蚀刻减少所述内部的所述第一层的厚度的步骤。

14.根据权利要求12的方法，还包括将所述第二层选择为SiO₂层，将所述壁选择为由Si₃N₄制成，选择所述晶体半导体材料为Si的步骤。