[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

形成于基片上的n-沟道TFT和p-沟道TFT，n-沟道TFT和p-沟道TFT之中的每一个都具有半导体层，该半导体层包括位于绝缘膜之上的沟道形成区、源区、漏区和吸杂区，位于半导体层上的栅极绝缘膜，以及位于栅极绝缘膜上的栅电极，

其中吸杂区包含浓度为1×10¹⁹/cm³到1×10²¹/cm³的n-型杂质元素和浓度为1.5×10¹⁹/cm³到3×10²¹/cm³的p-型杂质元素，以及

其中吸杂区在源区和漏区中的电子和空穴中的任何一种在其中移动的区域之外形成。

2.根据权利要求1的器件，其中n-沟道TFT中的吸杂区的面积(S)与沟道形成区的宽度(W)的比值(S/W)等于p-沟道TFT中的比值。

3.根据权利要求1的器件，其中当n-沟道TFT和p-沟道TFT成对时，n-沟道TFT中从沟道形成区和源区和漏区其中之一之间的结部分到吸杂区的距离等于p-沟道TFT中的该距离。

4.根据权利要求1的器件，其中在吸杂区中，存在浓度为1×10¹⁹/cm³或以上的催化元素。

5.根据权利要求1的器件，其中浓度是n-型杂质元素的1.5到3倍的p-型杂质元素被添加到吸杂区。

6.根据权利要求1的器件，其中栅电极至少包含一种选自由W、Ta、Ti和Mo组成的组的元素，或一种该元素的合金材料。

7.一种半导体器件，其中像素部分和驱动器电路在同一基片上形成，该半导体器件包含：

至少由根据权利要求1的n-沟道TFT和p-沟道TFT构成的源极侧驱动器电路中的取样电路。

8.一种半导体器件，包含：

形成于基片上的n-沟道TFT和p-沟道TFT，n-沟道TFT和p-沟道TFT之中的每一个都具有半导体层，该半导体层包括位于绝缘膜之上的沟道形成区、源区、漏区和吸杂区，位于半导体层上的栅极绝缘膜，以及位于栅极绝缘膜上的栅电极，

其中吸杂区包含浓度为1×10¹⁹/cm³到1×10²¹/cm³的n-型杂质元素和浓度为1.5×10¹⁹/cm³到3×10²¹/cm³的p-型杂质元素，以及

其中形成吸杂区以便毗邻源区和漏区并至少不毗邻沟道形成区。

9.根据权利要求8的器件，其中在n-沟道TFT中的吸杂区的面积(S)与沟道形成区的宽度(W)的比值(S/W)等于p-沟道TFT中的该比值。

10.根据权利要求8的器件，其中当n-沟道TFT和p-沟道TFT成对时，在n-沟道TFT中，从沟道形成区和源区及漏区其中之一之间的结部分到吸杂区的距离等于p-沟道TFT中的该距离。

11.根据权利要求8的器件，其中在吸杂区中，存在浓度为1×10¹⁹/cm³或以上的催化元素。

12.根据权利要求8的器件，其中浓度是n-型杂质元素的1.5到3倍的p-型杂质元素被添加到吸杂区。

13.根据权利要求8的器件，其中栅电极包含至少一种选自由W、Ta、Ti和Mo组成的组的元素，或该元素的合金材料。

14.一种半导体器件，其中像素部分和驱动器电路在同一基片上形成，该半导体器件包含：

至少由根据权利要求8的n-沟道TFT和p-沟道TFT构成的源极侧驱动器电路中的取样电路。