[发明专利]具有不规则且高低起伏多层量子井的发光元件外延结构

权利要求书

1.一种发光元件的外延结构，其特征在于包括：

基板；

第一半导体导电层，形成于该基板之上；

主动层，以多个不规则且高低起伏形状的的多层量子井形成于该第一半导体导电层之上；以及

第二半导体导电层，形成于该主动层之上；

其中至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于该第一半导体导电层与该主动层之间，从而，形成该具有多个不规则且高低起伏的形状的多层量子井。

2、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该多层量子井的每一不规则且高低起伏形状的横截面的宽高比介于3∶1～1∶10之间。

3、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该基板的材料选自于下列的族群：蓝宝石、GaN、SiC、GaAs、AlN、GaP、Si、ZnO、MgO以及玻璃材料。

4、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该第一半导体导电层为N-Type的半导体层。

5、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该第一半导体导电层的材料选自于下列的族群：AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN以及InAlGaN。

6、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该多层量子井的材料选自于下列的族群：AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN以及InAlGaN。

7、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该第二半导体导电层为P-Type的半导体层。

8、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该第二半导体导电层的材料选自于下列的族群：AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN以及InAlGaN。

9、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该异质材料所形成的多个微粒含有不同于第一半导体导电层的异质材料。

10、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该异质材料所形成的多个微粒自下列族群中选出：II族、III族、V族、VI族、III-V族化合物、II-V族化合物及II-VI族化合物。

11、根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于该多层量子井的每一不规则且高低起伏形状的表面粗糙度Ra介于0.5～50纳米之间。

12、根据权利要求11所述的外延结构，其特征在于该多层量子井的每一不规则且高低起伏形状的表面粗糙度Ra值为30～40纳米。

13、一种发光元件，其特征在于包括：

第一电极；

基板，形成于该第一电极之上；

第一半导体导电层，形成于该基板之上；

主动层，以具有多个不规则且高低起伏的形状的多层量子井形成于该第一半导体导电层之上；

第二半导体导电层，形成于该主动层之上；

透明导电层，形成于该第二半导体导电层之上；以及

第二电极，形成于该透明导电层之上；

其中至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于该第一半导体导电层与该主动层之间，从而，形成该具有多个不规则且高低起伏的形状的多层量子井。

14、根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于该多层量子井的材料选自于下列的族群：AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN以及InAlGaN。

15、根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于该透明导电层的材料选自于下列的族群：Ni/Au、NiO/Au、Ta/Au、TiWN、TiN、氧化铟锡、氧化铬锡、氧化锑锡、氧化锌铝及氧化锌锡。

16、根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于该异质材料所形成的多个微粒含有不同于第一半导体导电层的异质材料。

17、根据权利要求16所述的发光元件，其特征在于该异质材料所形成的多个微粒自下列族群中选出：II族、III族、V族、VI族、III-V族化合物、II-V族化合物及II-VI族化合物。

18、根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于该具有多个不规则且高低起伏形状的多层量子井由氮化物材料所形成。