[发明专利]电流源电路无效
申请号: | 200710109855.8 | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN101315567A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 柯明道;陈荣升;许峻源 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 电路 | ||
1.一种电流源电路,包括:
一第一晶体管,其第一源/漏极端耦接一偏压,其第二源/漏极端则接收一电流信号,而该第一晶体管的第二源/漏极端与栅极端彼此互相耦接;以及
至少一第二晶体管,其第一源/漏极端接地,其第二源/漏极端耦接一电压源,并输出一偏压电流,其栅极端则耦接该第一晶体管的栅极端。
2.如权利要求1所述的电流源电路,其特征在于,该第一晶体管工作在一次临限区。
3.如权利要求1所述的电流源电路,其特征在于,该第一晶体管和该第二晶体管皆为一NMOS晶体管。
4.一种电流源电路,包括:
一电流镜模块,具有输入端、第一输出端和第二输出端,而该电流镜模块的输入端耦接一电压源;
一分压模块,具有输入端和输出端,而该分压模块的输入端耦接该电流镜模块的第一输出端,而输出端则接地;
一第一晶体管,其第一源/漏极端耦接一偏压,其第二源/漏极端则耦接该电流镜模块的第二输出端,而该第一晶体管的第二源/漏极端与栅极端彼此互相耦接;以及
至少一第二晶体管,其第一源/漏极端耦接至该分压模块的输出端,其第二源/漏极端耦接该电压源,并输出一偏压电流,其栅极端则耦接该第一晶体管的栅极端。
5.如权利要求4所述的电流源电路,其特征在于,该第一晶体管工作在一次临限区。
6.如权利要求4所述的电流源电路,其特征在于,该第一晶体管和该第二晶体管皆为一NMOS晶体管。
7.如权利要求4所述的电流源电路,其特征在于,该电流镜模块包括:
一第三晶体管,其第一源/漏极端和栅极端彼此互相耦接,并通过该电流镜模块的第一输出端耦接至该分压模块的输入端,而该第三晶体管的第二源/漏极端则通过该电流镜模块的输入端耦接至该偏压电流;以及
一第四晶体管,其第一源/漏极端通过该电流镜模块的第二输出端耦接至该第一晶体管的第二源/漏极端,而该第四晶体管的栅极端和第二源/漏极端,则分别耦接该第三晶体管的栅极端和第二源/漏极端。
8.如权利要求7所述的电流源电路,其特征在于,该第三晶体管和该第四晶体管皆为一PMOS晶体管。
9.如权利要求4所述的电流源电路,其特征在于,该分压模块包括:
一第五晶体管,其第一源/漏极端和栅极端彼此互相耦接,而该第五晶体管的第二源/漏极端则通过该分压模块的输入端耦接至该电流镜模块的第一输出端;以及
一第六晶体管,其第一源/漏极端透过该分压模块的输出端接地,其栅极端耦接至该电流镜模块的输入端,而其第二源/漏极端则耦接该第五晶体管的第一源/漏极端。
10.如权利要求9所述的电流源电路,其特征在于,该第五晶体管为PMOS晶体管。
11.如权利要求9所述的电流源电路,其特征在于,该第六晶体管为NMOS晶体管。
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