[发明专利]切割晶圆的方法

权利要求书

1、一种切割晶圆的方法，包括提供一晶圆，所述晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道，其中所述切割道位于所述主动表面上，以界定出若干个晶粒；其特征在于：所述切割晶圆的方法进一步包括下列步骤：

提供一复合胶膜，贴附所述复合胶膜于所述晶圆的主动表面，其中所述复合胶膜包括一第一胶膜以及一第二胶膜，所述第二胶膜位于所述第一胶膜与所述晶圆的主动表面之间，并且所述第二胶膜为透明的；

研磨所述晶圆的背面；

移除所述第一胶膜，但保留所述第二胶膜于所述晶圆的主动表面上；以及

沿所述切割道切割附着有所述第二胶膜的所述晶圆，以分离所述晶粒；

移动切割所得的晶粒，并将所述晶粒固定在一载板上；以及

处理所述第二胶膜，使所述第二胶膜去除黏性，并由所述晶粒的主动表面移除所述第二胶膜。

2、如权利要求1所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第一胶膜与所述第二胶膜之间的黏力小于所述第二胶膜与所述晶圆之间的黏力。

3、如权利要求1所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第一胶膜进一步包括一第一基材以及一第一黏层，所述第二胶膜包括一第二基材以及一第二黏层。

4、如权利要求3所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第一黏层的黏性小于所述第二黏层的黏性。

5、如权利要求1所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第一胶膜为一研磨胶带。

6、如权利要求3所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第二黏层通过热能而去除其黏性。

7、如权利要求6所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述热能通过加热至摄氏130～150度而获得。

8、如权利要求3所述的切割晶圆的方法，其特征在于所述第二黏层通过紫外线(UV)光而去除其黏性。

9、如权利要求1所述的切割晶圆的方法，其特征在于在研磨所述晶圆的背面的步骤后及移除所述第一胶膜的步骤前，进一步包括下列步骤：

将一切割胶膜贴附在研磨后的所述晶圆的背面上，所述切割胶膜包括一底膜以及一晶粒黏膜。

10、如权利要求9所述的切割晶圆的方法，其特征在于在贴附所述切割胶膜的步骤后，以及在进行移动切割所得的晶粒的步骤时，其中所述晶粒上附着有所述第二胶膜以及所述晶粒黏膜。

11、如权利要求10所述的切割晶圆的方法，其特征在于在进行移动切割所得的晶粒的步骤时，进一步包括下列步骤：

处理所述晶粒黏膜，以利用所述晶粒黏膜将所述晶粒固定在所述载板上。

12、如权利要求10所述的切割晶圆的方法，其特征在于在进行移动切割所得的晶粒的步骤时，进一步包括下列步骤：

处理所述晶粒黏膜，使所述晶粒黏膜去除黏性，由所述晶粒的背面移除所述晶粒黏膜；

将一银胶配置在一载板上；以及

利用所述银胶将所述晶粒固定在所述载板上。