[发明专利]有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法有效
| 申请号： | 200710109882.5 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101086998A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 梁善芽;吴允哲;李垠政;姜垣锡 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 臧霁晨;梁永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示设备，包括：
基板；
在基板上具有栅极绝缘层和内绝缘层的薄膜晶体管，所述栅极绝缘层包括第一凹/凸结构；
与薄膜晶体管电连接的有机发光二极管；以及
在基板和第一凹/凸结构之间的光敏传感器。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，一部分所述栅极绝缘层设置在所述薄膜晶体管和所述光敏传感器之间的所述基板上。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第一凹/凸结构是直接在所述光敏传感器上面的。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述栅极绝缘层包括氧化硅或氮化硅。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述光敏传感器能够吸收从所述有机发光二极管发射的光并且把所吸收的光转换成电信号。
6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述电信号能够控制从所述有机发光二极管发射的光的亮度。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述有机发光二极管是背面型有机发光二极管。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述内绝缘层包括第二凹/凸结构。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第二凹/凸结构是直接在所述第一凹/凸结构上面的。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括位于所述基板上的缓冲层。
11.一种制造有机发光显示设备的方法，包括：
在基板上形成半导体层；
在所述基板上形成光敏传感器，使得所述光敏传感器与所述半导体层隔开；
在所述半导体层和所述光敏传感器上形成栅极绝缘层；
使所述光敏传感器上的所述栅极绝缘层的表面形成图案，以形成第一凹/凸结构；
在所述半导体层上形成栅极和源极/漏极；以及
形成与所述源极/漏极电连接的有机发光二极管。
12.如权利要求11所述的制造有机发光显示设备的方法，其特征在于，使所述栅极绝缘层的表面形成图案的步骤包括蚀刻。
13.如权利要求11所述的制造有机发光显示设备的方法，还包括在所述栅极上形成内绝缘层。
14.如权利要求13所述的制造有机发光显示设备的方法，还包括使在所述光敏传感器上的所述内绝缘层表面形成图案以形成第二凹/凸结构。
15.一种便携式电子装置，该装置包括有机发光显示设备，所述有机发光显示设备具有基板、具有栅极绝缘层的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管电连接的有机发光二极管以及光敏传感器，其中所述栅极绝缘层包括在所述光敏传感器上的凹/凸结构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
