[发明专利]GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710110168.8 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101090062A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 井尻英幸;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/673;H01L21/20;H01L23/00;H01L33/00;B65D85/86;B65D81/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 衬底 储存 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
1.一种储存GaN衬底的方法，包括：
在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或25g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛下储存GaN衬底的步骤。
2.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中所述氧浓度为5vol.％或以下，和/或所述水蒸汽浓度为17g/m3或以下。
3.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中在所述GaN衬底上第一主表面的表面粗糙度Ra为20nm或以下，并且在所述GaN衬底上第二主表面的表面粗糙度Ra为20μm或以下。
4.如权利要求3所述的GaN衬底储存方法，其中第一主表面的表面粗糙度Ra为5nm或以下，并且第二主表面的表面粗糙度Ra为10μm或以下。
5.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中由所述GaN衬底上的主表面和它的(0001)面形成的偏轴角在<100>方向上是在0.05°和2°之间，端点包括在内；以及在<110>方向上是在0°和1°之间，端点包括在内。
6.如权利要求5所述的GaN衬底储存方法，其中所述偏轴角在<100>方向上是在0.1°和0.8°之间，端点包括在内；以及在<110>方向上是在0°和0.6°之间，端点包括在内。
7.一种由权利要求1所述的储存方法储存的GaN衬底。
8.一种由权利要求3所述的储存方法储存的GaN衬底。
9.一种由权利要求5所述的储存方法储存的GaN衬底。
10.一种半导体器件，其中，在根据权利要求7所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
11.一种半导体器件，其中，在根据权利要求8所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
12.一种半导体器件，其中，在根据权利要求9所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
13.一种半导体器件的制造方法，包括：
选择根据权利要求7所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
14.一种半导体器件的制造方法，包括：
选择根据权利要求8所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
15.一种半导体器件的制造方法，包括：
选择根据权利要求9所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
