[发明专利]多次可编程存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种多次可编程存储器，包括：

隧穿介电层，设置于基底上；

浮置栅极，设置于该隧穿介电层上；

第一栅间介电层，设置于该浮置栅极上，其中该第一栅间介电层在该浮置栅极的边缘部分具有第一厚度、在该浮置栅极的中心部分具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；

第二栅间介电层，设置于该浮置栅极的侧壁；以及

控制栅极，设置于该第一栅间介电层上，并延伸设置于该第二栅间介电层上。

2.如权利要求1所述的多次可编程存储器，其中该浮置栅极具有圆化的顶角。

3.如权利要求1所述的多次可编程存储器，其中该第一栅间介电层与该第二栅间介电层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的多次可编程存储器，其中该控制栅极的材料包括掺杂多晶硅。

5.如权利要求1所述的多次可编程存储器，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

6.如权利要求1所述的多次可编程存储器，其中该隧穿介电层的材料包括氧化硅。

7.一种多次可编程存储器的制造方法，包括：

提供基底；

在该基底上依序形成隧穿介电层、第一导体层、第一栅间介电层与掩模层；

图案化该掩模层、该第一栅间介电层、该第一导体层、该隧穿介电层，其中经图案化的该第一导体层作为浮置栅极；

在该浮置栅极侧壁形成第二栅间介电层，并使在该浮置栅极的边缘部分的该第一栅间介电层的厚度变厚；

移除该掩模层；以及

在该基底上形成控制栅极。

8.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中在该浮置栅极侧壁形成该第二栅间介电层，并使在该浮置栅极的边缘部分的该第一栅间介电层的厚度变厚的方法包括热氧化法。

9.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该第一栅间介电层与该第二栅间介电层的材料包括氧化硅。

10.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中移除该掩模层之后，还包括进行热氧化工艺，以使该第一栅间介电层的厚度变厚。

11.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该掩模层的材料为氮化硅。

12.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中在该基底上形成该控制栅极的方法包括：

在该基底上形成第二导体层；以及

图案化该第二导体层。

13.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该控制栅极的材料包括掺杂多晶硅。

14.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

15.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该隧穿介电层的材料包括氧化硅。

16.如权利要求7所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该浮置栅极具有圆化的顶角。

17.一种多次可编程存储器的制造方法，包括：

提供基底，该基底至少包括第一区与第二区；

在该基底上依序形成隧穿介电层、第一导体层、第一栅间介电层与掩模层；

移除该第二区中的该掩模层、该第一栅间介电层、该第一导体层、该隧穿介电层，并图案化该第一区中的该掩模层、该第一栅间介电层、该第一导体层、该隧穿介电层，以在该第一区中形成浮置栅极；

在该第二区的该基底上形成第一栅介电层，同时在该第一区中的该浮置栅极侧壁形成第二栅间介电层，并使在该浮置栅极的边缘部分的该第一栅间介电层的厚度变厚；

移除该掩模层；以及

在第一区的该基底上形成控制栅极，在该第二区的该基底上形成第一栅极。

18.如权利要求17所述的多次可编程存储器的制造方法，其中在该第二区的该基底上形成该第一栅介电层，同时在该第一区中的该浮置栅极侧壁形成该第二栅间介电层，并使在该浮置栅极的边缘部分的该第一栅间介电层的厚度变厚的方法包括热氧化法。

19.如权利要求17所述的多次可编程存储器的制造方法，其中该第一栅间介电层与该第二栅间介电层的材料包括氧化硅。