[发明专利]有机非易失性存储材料及存储器件有效
| 申请号： | 200710110191.7 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330128A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈俊荣;林恒田;范瑞芬;黄桂武;丁晴;詹益仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/30;H01L51/05;H01L27/28;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 非易失性 存储 材料 器件 | ||
1.一种有机非易失性存储材料，包括：
第一高分子；以及
纳米粒子，具有金属核，该金属核的表面以第二高分子覆盖，且该金属核与该第二高分子形成核壳结构；
其中该第一高分子与该第二高分子系由相同的单体聚合而成，且该纳米粒子均匀分散于该第一高分子中；
其中该第一高分子及该第二高分子包括PCm、PMMA、PP、PC、PE、PS、或PET；
其中该第二高分子的末端包括含硫、含羧基或含氮的官能团。
2.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该纳米粒子的尺寸介于1-100nm。
3.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该纳米粒子的尺寸介于1-20nm。
4.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该金属核包括Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Au、或上述的氧化物。
5.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该第一高分子的数均分子量介于10000-300000g/mol之间。
6.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该第二高分子的数均分子量介于1000-10000g/mol之间。
7.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该纳米粒子的金属核与该第一高分子的重量比小于3∶1。
8.如权利要求1所述的有机非易失性存储材料，其中该纳米粒子的金属核与该第一高分子的重量比小于0.5∶1。
9.一种存储器件，包括：
电源，电性连接至第一电极；
接地线，电性连接至第二电极；
主动层，夹设于该第一电极与该第二电极之间，且该主动层系权利要求1所述的有机非易失性存储材料。
10.如权利要求9所述的存储器件，其中该主动层的厚度小于2000nm。
11.如权利要求9所述的存储器件，其中该主动层的厚度小于200nm。
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