[发明专利]反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法

权利要求书

1、一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其包括：

一基板，其包括一主动区；

复数个排成一列的晶胞，位于该主动区上；

一第一阻障层，覆盖该复数个晶胞和围绕该列的各末端的该主动区；

一第一氧化物，沉积于该复数个晶胞之间的一间隙中，且填充该间隙；

一氧化物间隙壁，形成于沿着该列的各末端的该晶胞的侧壁上；以及

一多晶硅间隙壁，形成于该氧化物间隙壁上，该多晶硅间隙壁是做为驱动该列晶胞的一选择栅极。

2、根据权利要求1所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一注入区，其系利用注入预定离子方式形成于围绕该列的各末端的该主动区中。

3、根据权利要求1所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一氧化层，沉积于该多晶硅间隙壁、该氧化物间隙壁、部分该第一阻障层和该第一氧化物上。

4、根据权利要求3所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一第二阻障层，沉积于该氧化层上。

5、根据权利要求4所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一层间介电层，沉积于该第二阻障层上及围绕该列的各末端的该主动区上。

6、根据权利要求4所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一接触孔插塞，其利用沉积一插塞材料于位于该列各末端的一开口中，再利用一化学机械研磨制作工艺平坦化该插塞材料的方式形成。

7、根据权利要求6所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其更包括一金属线，形成于该接触孔插塞上。

8、根据权利要求1所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其中所述的复数个晶胞之间的该间隙的深宽比介于1.8至3.2之间。

9、根据权利要求1所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其中所述的第一阻障层是为氮化层或薄氮氧化物层制成。

10、根据权利要求4所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其中所述的第一阻障层和该第二阻障层是为氮化层或薄氮氧化物层制成。

11、一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

在一基板的一主动区上形成复数个排成一列的晶胞；

沉积一第一阻障层，其覆盖该复数个晶胞和围绕该列的各末端的该主动区；

在该复数个晶胞之间的一间隙中沉积一第一氧化物，以填充该间隙；

沿着位于该列的各末端的该晶胞的侧壁上形成一氧化物间隙壁；以及

在该氧化物间隙壁上形成一多晶硅间隙壁。

12、根据权利要求11所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的沿着位于该列的各末端的该晶胞的侧壁上形成该氧化物间隙壁的步骤后，更包括一去除部分该第一阻障层，以及在围绕该列的各末端的该主动区中注入预定离子的步骤。

13、根据权利要求11所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的在该氧化物间隙壁上形成该多晶硅间隙壁的步骤后，更包括一在该基板上方沉积一氧化层的步骤。

14、根据权利要求13所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的在该基板上方沉积该氧化层的步骤后，更包括一在该氧化层上形成一第二阻障层的步骤。

15、根据权利要求14所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的在该氧化层上形成该第二阻障层的步骤之后，更包括一在该基板上方形成一层间介电层的步骤。

16、根据权利要求15所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的在该基板上方形成该层间介电层的步骤后，更包括一在该列的各末端形成一接触孔插塞的步骤。

17、根据权利要求16所述的反及闸型快闪记忆体晶胞阵列的制造方法，其特征在于其中所述的在该列的各末端形成该接触孔插塞的步骤后，更包括一在该接触孔插塞上形成一金属线的步骤。