[发明专利]面发光型半导体激光器有效
| 申请号： | 200710111495.5 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101098067A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 望月理光 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 半导体激光器 | ||
1.一种面发光型半导体激光器，包括：
下部反射镜；
活性层，形成在所述下部反射镜的上面；以及
上部反射镜，形成在所述活性层的上面，
其中，在所述上部反射镜的靠近所述活性层的层中的至少一层是电流狭窄层，
所述下部反射镜及所述上部反射镜是层叠了多个单位多层膜的多层膜反射镜，
所述单位多层膜包括沿上下方向被层叠的一组低折射率层和高折射率层，
所述单位多层膜满足下式(1)，
所述活性层满足下式(2)，
dD＜λ/2nD ...(1)
dA＞mλ/2nA ...(2)
其中，
λ是所述面发光型半导体激光器的设计波长，
m是正整数，
dD是所述单位多层膜的厚度，
nD是所述单位多层膜的平均折射率，
dA是所述活性层的厚度，
nA是所述活性层的平均折射率，
dD的下限值及dA的上限值由λ是否在所述下部反射镜及
所述上部反射镜的反射频带内来决定。
2.根据权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其中，
所述多个单位多层膜中的至少一个满足所述式(1)。
3.根据权利要求2所述的面发光型半导体激光器，其中，
所述多个单位多层膜中的全部单位多层膜满足所述式(1)。
4.根据权利要求2所述的面发光型半导体激光器，其中，
不满足所述式(1)的所述单位多层膜满足下式(3)，
dD＝λ/2nD ...(3)
5.根据权利要求1至4中任一项所述的面发光型半导体激光器，
满足下式(4)，
dH+dL＜λ/4nL+λ/4nH ...(4)
其中，
dH是所述低折射率层的厚度，
dL是所述高折射率层的厚度，
nL是所述低折射率层的折射率，
nH是所述高折射率层的折射率。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的面发光型半导体激光器，
其中，
所述下部反射镜及所述上部反射镜是分布布拉格反射型(DBR)反射镜。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的面发光型半导体激光器，
其中，
在所述活性层中共振的光中，
低阶的共振模成分达到激光振荡，
高阶的共振模成分未到达激光振荡。
8.根据权利要求6所述的面发光型半导体激光器，其中，
在所述活性层中共振的光中，
低阶的共振模成分达到激光振荡，
高阶的共振模成分未到达激光振荡。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的面发光型半导体激光器，
其中，
在所述活性层中共振的光中，
低阶的共振模成分的能量放大率为正，
高阶的共振模成分的能量放大率为负。
10.根据权利要求6所述的面发光型半导体激光器，其中，
在所述活性层中共振的光中，
低阶的共振模成分的能量放大率为正，
高阶的共振模成分的能量放大率为负。
11.根据权利要求7所述的面发光型半导体激光器，其中，
所述低阶的共振模成分是0阶的共振模成分，
所述高阶的共振模成分是大于等于一阶的共振模成分。
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