[发明专利]具有放大的第二位操作区间的多阶存储单元结构

权利要求书

1、一种多阶存储单元(MLC)装置，包括：

衬底；

栅极；以及

电荷捕捉结构，其位于所述衬底与所述栅极之间且具有第二位操作区间，所述电荷捕捉结构具有第一电荷储存端与分离的第二电荷储存端，所述第一电荷储存端具有m个位以产生2m个临界电压Vt分布，以及多个感应区间，在所述第一电荷储存端的每一感应区间定义介于两个临界电压Vt分布之间的电压边缘；

其中所述第二位操作区间通过移动空穴至所述电荷捕捉层的空穴注入而扩大。

2、如权利要求1所述的多阶存储单元装置，其中所述第二电荷储存端具有m个位以产生2m个临界电压Vt分布，以及多个感应区间，在所述第二电荷储存端的每一感应区间定义介于两个临界电压Vt分布之间的电压边缘。

3、如权利要求1所述的多阶存储单元装置，其中所述电荷捕捉结构包含两个位，位于所述第一电荷储存端的第一位提供逻辑0状态和逻辑1状态，所述多个临界电压Vt分布包含第一临界电压分布及第二临界电压分布，所述第二位操作区间介于所述第一临界电压分布与所述第二临界电压分布之间。

4、如权利要求1所述的多阶存储单元装置，其中所述电荷捕捉结构包含四个位，位于所述第一电荷储存端的两个位提供逻辑00状态、逻辑01状态、逻辑10状态和逻辑11状态，所述多个临界电压Vt分布包含第一临界电压分布与所述逻辑11状态相关、第二临界电压分布与所述逻辑10状态相关、第三临界电压分布与所述逻辑01状态相关及第四临界电压分布与所述逻辑00状态相关，

其中所述第二位操作区间在介于所述第一临界电压分布与所述第四临界电压分布之间测量，所述第二位操作区间包括所述第二临界电压分布、所述第三临界电压分布、第一感应区间提供第一电压边缘在所述逻辑10与逻辑11状态之间、第二感应区间提供第二电压边缘在所述逻辑10与逻辑01状态之间以及第三感应区间提供第三电压边缘在所述逻辑00与逻辑01状态之间。

5、如权利要求1所述的多阶存储单元装置，其中所述电荷捕捉结构包含六个位，位于所述第一电荷储存端的三个位提供逻辑000状态、逻辑001状态、逻辑010状态、逻辑011状态、逻辑100状态、逻辑101状态、逻辑110状态和逻辑111状态，所述多个临界电压Vt分布包含第一临界电压分布与所述逻辑111状态相关、第二临界电压分布与所述逻辑110状态相关、第三临界电压分布与所述逻辑101状态相关、第四临界电压分布与所述逻辑100状态相关、第五临界电压分布与所述逻辑011状态相关、第六临界电压分布与所述逻辑010状态相关、第七临界电压分布与所述逻辑001状态相关和第八临界电压分布与所述逻辑000状态相关，

其中所述第二位操作区间在介于所述第一临界电压分布与所述第八临界电压分布之间测量，所述第二位操作区间包括所述第二、第三、第四、第五、第六和第七临界电压分布、第一感应区间提供第一电压边缘在所述逻辑110与逻辑111状态之间、第二感应区间提供第二电压边缘在所述逻辑110与逻辑101状态之间、第三感应区间提供第三电压边缘在所述逻辑100与逻辑101状态之间、第四感应区间提供第四电压边缘在所述逻辑100与逻辑011状态之间、第五感应区间提供第五电压边缘在所述逻辑011与逻辑010状态之间、第六感应区间提供第六电压边缘在所述逻辑010与逻辑001状态之间以及第七感应区间提供第七电压边缘在所述逻辑001与逻辑000状态之间。