[发明专利]在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构

权利要求书

1、一种存储装置，包括：

基板；

电荷捕捉结构，其位于所述基板上，所述电荷捕捉结构在第一方向延伸；以及

栅极在第二方向延伸，并与所述电荷捕捉层交错，所述栅极具有底面，所述底面由第一边缘与非边缘部分所定义，所述第一边缘与第二边缘分隔，且所述非边缘部分介于所述第一边缘与所述第二边缘之间，所述非边缘部分具有第一临界电压，所述第一与第二边缘具有第二临界电压，所述第二临界电压值低于所述第一临界电压；

其中空穴通过空穴注入而被移至所述电荷捕捉层，且置于所述栅极之下、并沿着所述栅极的所述第一与第二边缘排列。

2、如权利要求1所述的装置，其中所述空穴储存于电荷捕捉层中，并位于每一字线的第一与第二边缘底下，且沿着所述第一与第二边缘排列。

3、如权利要求1所述的装置，其中所述空穴注入步骤，包括施加正栅极电压以擦除所述存储装置至负电压电平，其通过将空穴从栅极移动到所述电荷捕捉结构而完成。

4、如权利要求1所述的装置，其中所述空穴注入步骤，包括施加负栅极电压以擦除所述存储装置至负电压电平，其通过将空穴从基板移动到所述电荷捕捉结构而完成。

5、如权利要求1所述的装置，其中所述电荷捕捉结构包括电荷捕捉层，所述电荷捕捉层位于介质层之上。

6、如权利要求1所述的装置，其中所述电荷捕捉结构包括顶介质层，其位于电荷捕捉层之上，且所述电荷捕捉层位于底介质层之上。

7、如权利要求1所述的装置，进一步包括第一介质部分与第二介质部分，所述电荷捕捉层设置于所述第一与第二介质部分之间。

8、一种存储处理结构，包括：

一条以上彼此平行延伸的位线；

一条以上字线沿着第二方向延伸、并与电荷捕捉层相交，所述字线具有底面，所述底表面由第一边缘与非边缘部分所定义，所述第一边缘与第二边缘分隔，且所述非边缘部分介于所述第一边缘与所述第二边缘之间，所述非边缘部分具有第一临界电压，所述第一与第二边缘具有第二临界电压，所述第二临界电压值低于所述第一临界电压；以及

电荷捕捉层设置于所述一条以上字线之下，并接触至每一所述字线的所述底面；

其中，空穴通过空穴注入而被移至所述电荷捕捉层，且所述些空穴置于每一所述字线底下，并沿着每一所述字线的所述第一与第二边缘排列。