[发明专利]包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

远离衬底延伸的柱子，该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁；

该侧壁上的绝缘栅；

在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中的第一源区/漏区；以及

在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中的第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，该第二源区/漏区被重掺杂。

2.根据权利要求1的场效应晶体管，其中该柱子是I-形柱子，其在基体和顶部之间比相邻的基体和顶部更窄，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷部分，以及其中该绝缘栅包括在凹陷部分上延伸的绝缘层和远离侧壁的绝缘层上的栅电极。

3.根据权利要求1的场效应晶体管，还包括柱子外面的衬底中的沟槽隔离区，其中第一和第二源区/漏区在邻近沟槽隔离区的衬底中延伸。

4.根据权利要求1的场效应晶体管，其中与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区进一步朝着柱子的中心轴延伸。

5.根据权利要求1的场效应晶体管，其中与第二源区/漏区相比，第一源区/漏区进一步朝着柱子的中心轴延伸。

6.根据权利要求1的场效应晶体管，还包括在柱子底下和第二源区/漏区底下的衬底中的第三源区/漏区，与第二源区/漏区相比，该第三源区/漏区被轻掺杂。

7.根据权利要求4的场效应晶体管，其中与第一和第三源区/漏区相比，第二源区/漏区进一步朝着柱子的中心轴延伸。

8.根据权利要求2的场效应晶体管：

其中第一和第二源区/漏区都延伸至凹陷部分底下。

9.根据权利要求2的场效应晶体管：

其中第一和第二源区/漏区延伸至凹陷部分底下；以及

其中第二源区/漏区仅仅部分延伸至凹陷部分底下。

10.根据权利要求6的场效应晶体管：

其中第二源区/漏区延伸至凹陷部分底下；以及

其中第一和第三源区/漏区仅仅部分延伸至凹陷部分底下。

11.根据权利要求2的场效应晶体管，还包括远离绝缘层的栅电极上的侧壁隔片。

12.根据权利要求3的场效应晶体管，还包括侧壁上的侧壁隔片，其中沟槽隔离区从柱子外面至侧壁隔片在衬底中延伸。

13.根据权利要求1的场效应晶体管，还包括：

邻近顶部的柱子中的第四源区/漏区。

14.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

远离衬底延伸的I-形柱子，该I-形柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间的中间部分，该中间部分比基体和顶部更窄；

该中间部分上的绝缘栅；以及

邻近基体的衬底中的源区/漏区。

15.根据权利要求14的场效应晶体管，其中该绝缘栅包括中间部分上的绝缘层和远离I-型柱子的栅绝缘层上的栅电极。

16.根据权利要求14的场效应晶体管，还包括在I-形柱子外面的衬底中的沟槽隔离区，以及其中源区/漏区在邻近沟槽隔离区的衬底中延伸。

17.根据权利要求14的场效应晶体管，其中该源区/漏区包括：

在I-形柱子底下并邻近基体的衬底中的第一源区/漏区；以及

在I-形柱子底下并远离基体的衬底中的第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，该第二源区/漏区被重掺杂。

18.根据权利要求17的场效应晶体管，其中与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区进一步朝着I-形柱子的中心轴延伸。

19.根据权利要求17的场效应晶体管，其中与第二源区/漏区相比，第一源区/漏区进一步朝着I-形柱子的中心轴延伸。

20.根据权利要求14的场效应晶体管，其中该源区/漏区包括：

在I-形柱子底下和邻近基体的衬底中的第一源区/漏区；以及

在I-形柱子底下并远离基体的衬底中的第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，该第二源区/漏区被重掺杂；以及

在I-形柱子底下的衬底中并远离第一源区/漏区的第三源区/漏区，与第二源区/漏区相比，该第三源区/漏区被轻掺杂。