[发明专利]附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置有效
申请号: | 200710112200.6 | 申请日: | 2001-01-30 |
公开(公告)号: | CN101090139A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/173 | 分类号: | H01L31/173;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;张志醒 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 附着 区域 传感器 以及 具有 这种 显示装置 | ||
1.一种包括附着型区域传感器的显示装置,所述附着型区域传感器包括多个像素,所述显示装置包括:
衬底;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的光电二极管,所述光电二极管包括阴极、阳极以及提供在阳极和阴极之间的光电转换层;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的EL元件;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的复位TFT;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的缓冲TFT;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的选择TFT;
提供在所述衬底上的复位栅信号线;
提供在所述衬底上的传感器栅信号线;
提供在所述衬底上且连接到恒流源的传感器输出接线;
提供在所述衬底上用于保持恒定电位的传感器电源线;
其中,复位TFT的源区连接到传感器电源线;
复位TFT的漏区连接到缓冲TFT的栅极和光电二极管;
缓冲TFT的漏区连接到传感器电源线;
选择TFT的源区和漏区中的一个连接到传感器输出接线,另一个连接到缓冲TFT的源区;
选择TFT的栅极连接到传感器栅信号线;
光电二极管的阴极连接至复位TFT的漏区;
所述复位TFT为p沟道TFT;且
所述缓冲TFT为n沟道TFT。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括触笔和接触面板。
3.根据权利要求1所述的装置,其中缓冲TFT的漏区维持恒定电位。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述光电转换层包括非晶硅。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述显示装置包括在扫描仪中。
6.一种包括附着型区域传感器的显示装置,所述附着型区域传感器包括多个像素,所述显示装置包括:
衬底;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的光电二极管,该光电二极管包括阴极、阳极以及提供在阳极和阴极之间的光电转换层;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的EL元件;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的复位TFT;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的缓冲TFT;
在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的选择TFT;
提供在所述衬底上的复位栅信号线;
提供在所述衬底上的传感器栅信号线;
提供在所述衬底上且连接到恒流源的传感器输出接线;和
提供在所述衬底上用于保持恒定电位的传感器电源线;
其中,复位TFT的源区连接到传感器电源线;
复位TFT的漏区连接到缓冲TFT的栅极和光电二极管;
缓冲TFT的漏区连接到传感器电源线;
选择TFT的源区和漏区中的一个连接到传感器输出接线,另一个连接到缓冲TFT的源区;
选择TFT的栅极连接到传感器栅信号线;
光电二极管的阳极连接至复位TFT的漏区;
所述复位TFT为n沟道TFT;且
所述缓冲TFT为p沟道TFT。
7.根据权利要求6所述的装置,还包括触笔和接触面板。
8.根据权利要求6所述的装置,其中缓冲TFT的漏区维持恒定电位。
9.根据权利要求6所述的装置,其中所述光电转换层包括非晶硅。
10.根据权利要求6所述的装置,其中所述显示装置包括在扫描仪中。
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