[发明专利]附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置有效

专利信息
申请号: 200710112200.6 申请日: 2001-01-30
公开(公告)号: CN101090139A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/173 分类号: H01L31/173;H01L23/522
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;张志醒
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 附着 区域 传感器 以及 具有 这种 显示装置
【权利要求书】:

1.一种包括附着型区域传感器的显示装置,所述附着型区域传感器包括多个像素,所述显示装置包括:

衬底;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的光电二极管,所述光电二极管包括阴极、阳极以及提供在阳极和阴极之间的光电转换层;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的EL元件;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的复位TFT;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的缓冲TFT;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的选择TFT;

提供在所述衬底上的复位栅信号线;

提供在所述衬底上的传感器栅信号线;

提供在所述衬底上且连接到恒流源的传感器输出接线;

提供在所述衬底上用于保持恒定电位的传感器电源线;

其中,复位TFT的源区连接到传感器电源线;

复位TFT的漏区连接到缓冲TFT的栅极和光电二极管;

缓冲TFT的漏区连接到传感器电源线;

选择TFT的源区和漏区中的一个连接到传感器输出接线,另一个连接到缓冲TFT的源区;

选择TFT的栅极连接到传感器栅信号线;

光电二极管的阴极连接至复位TFT的漏区;

所述复位TFT为p沟道TFT;且

所述缓冲TFT为n沟道TFT。

2.根据权利要求1所述的装置,还包括触笔和接触面板。

3.根据权利要求1所述的装置,其中缓冲TFT的漏区维持恒定电位。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述光电转换层包括非晶硅。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述显示装置包括在扫描仪中。

6.一种包括附着型区域传感器的显示装置,所述附着型区域传感器包括多个像素,所述显示装置包括:

衬底;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的光电二极管,该光电二极管包括阴极、阳极以及提供在阳极和阴极之间的光电转换层;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的EL元件;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的复位TFT;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的缓冲TFT;

在所述多个像素的每一个中提供在所述衬底上的选择TFT;

提供在所述衬底上的复位栅信号线;

提供在所述衬底上的传感器栅信号线;

提供在所述衬底上且连接到恒流源的传感器输出接线;和

提供在所述衬底上用于保持恒定电位的传感器电源线;

其中,复位TFT的源区连接到传感器电源线;

复位TFT的漏区连接到缓冲TFT的栅极和光电二极管;

缓冲TFT的漏区连接到传感器电源线;

选择TFT的源区和漏区中的一个连接到传感器输出接线,另一个连接到缓冲TFT的源区;

选择TFT的栅极连接到传感器栅信号线;

光电二极管的阳极连接至复位TFT的漏区;

所述复位TFT为n沟道TFT;且

所述缓冲TFT为p沟道TFT。

7.根据权利要求6所述的装置,还包括触笔和接触面板。

8.根据权利要求6所述的装置,其中缓冲TFT的漏区维持恒定电位。

9.根据权利要求6所述的装置,其中所述光电转换层包括非晶硅。

10.根据权利要求6所述的装置,其中所述显示装置包括在扫描仪中。

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