[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区及漏区的岛状半导体膜，其中栅绝缘膜形成为与所述岛状半导体膜相邻，并且栅电极形成为与所述岛状半导体膜相邻；

在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之一方接触的多个第一接触孔；以及

形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之另一方接触的第二接触孔，

其中，所述第二接触孔的直径大于所述多个第一接触孔的每一个的直径，且

所述多个第一接触孔的底面积的合计与所述第二接触孔的底面积相等。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管用于非易失性存储电路。

3.一种半导体装置，包括：

在衬底上的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括具有第一沟道形成区域、第一源区及第一漏区的第一岛状半导体膜，其中栅绝缘膜形成为与所述第一岛状半导体膜相邻，并且第一栅电极形成为与所述第一岛状半导体膜相邻；

在所述衬底上的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括具有第二沟道形成区域、第二源区及第二漏区的第二岛状半导体膜，其中所述栅绝缘膜形成为与所述第二岛状半导体膜相邻，并且第二栅电极形成为与所述第二岛状半导体膜相邻；

在所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管上的层间绝缘膜；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第一源区及所述第一漏区之一方接触的多个第一接触孔；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第二源区及所述第二漏区之一方接触的多个第二接触孔；以及

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第一源区及所述第一漏区之另一方、以及所述第二源区及所述第二漏区之另一方中的任一个接触的第三接触孔；

其中，所述第三接触孔的直径大于所述第一接触孔和所述第二接触孔的每一个的直径，且

所述多个第一接触孔的底面积的合计、所述多个第二接触孔的底面积的合计、以及所述第三接触孔的底面积相等。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管用于非易失性存储电路。

5.一种半导体装置，包括：

在衬底上的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括具有第一沟道形成区域、第一源区及第一漏区的第一岛状半导体膜，其中第一栅绝缘膜形成为与所述第一岛状半导体膜相邻，并且第一栅电极形成为与所述第一岛状半导体膜相邻；

在所述衬底上的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括具有第二沟道形成区域、第二源区及第二漏区的第二岛状半导体膜，其中第二栅绝缘膜形成为与所述第二岛状半导体膜相邻，并且第二栅电极形成为与所述第二岛状半导体膜相邻；

在所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管上的层间绝缘膜；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第一源区及所述第一漏区之一方接触的第一接触孔；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第一源区及所述第一漏区之另一方接触的第二接触孔；

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第二源区及所述第二漏区之一方接触的多个第三接触孔；以及

形成在所述层间绝缘膜中并与所述第二源区及所述第二漏区之另一方接触的第四接触孔，

其中，所述第一接触孔的底面积与所述第二接触孔的底面积相等，

所述第四接触孔的直径大于所述多个第三接触孔的每一个的直径，且

所述多个第三接触孔的底面积的合计、以及所述第四接触孔的底面积大于所述第一接触孔的底面积、以及所述第二接触孔的底面积。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二薄膜晶体管用于非易失性存储电路，而所述第一薄膜晶体管用于控制所述非易失性存储电路的逻辑电路。