[发明专利]用于制造p型半导体结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造III-V族p型氮化物结构的方法，所述方法包括：

在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III-V族材料；

在第二生长环境中在所述第一层的顶部上生长第二层p型III-V族材料，其比所述第一层厚并且其具有第二受主浓度，所述第二层p型III-V族材料的生长温度比所述第一层p型III-V族材料的生长温度要低；以及

在第三生长环境中在所述第二层的顶部上生长第三层p型III-V族材料，其比所述第二层薄并且其具有第三受主浓度，所述第三层p型III-V族材料的生长温度比所述第二层p型III-V族材料的生长温度要高。

2.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第一层p型III-V族材料的所述第一生长环境包括H₂作为载气。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一生长环境中的生长温度等于或高于900℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层p型III-V族材料具有等于或高于1×10¹⁹cm^-3的受主浓度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第一层p型III-V族材料的生长时间小于或等于1000秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第二层p型III-V族材料的所述第二生长环境包括N₂作为载气。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二生长环境中的生长温度至少比所述第一生长环境中的生长温度低30℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二层p型III-V族材料的厚度至少为

9.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第二层p型III-V族材料的生长时间至少是用于所述第一层p型III-V族材料的生长时间的1.5倍。

10.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第三层p型III-V族材料的所述第三生长环境包括H₂作为载气。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三生长环境中的生长温度至少比所述第二生长环境中的生长温度高30℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三层p型III-V族材料具有等于或高于1×10¹⁹cm^-3的受主浓度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第三层p型III-V族材料的生长时间小于或等于用于所述第二层p型III-V族材料的生长时间的一半。

14.根据权利要求1所述的方法，其中生长所述第一层、第二层和第三层包括用选自包括Mg、Zn和C的组的一种或多种掺杂剂来对相应的材料进行掺杂。

15.根据权利要求1所述的方法，其中生长所述第一层、第二层和第三层包括淀积选自包括Al、Ga和In的组的一种或多种元素。

16.根据权利要求1所述的方法，其中生长所述第一层、第二层和第三层包括淀积选自包括N、P和As的组的一种或多种元素。

17.一种半导体发光器件，包括：

选自包括Al₂O₃、Si和SiC的组的衬底材料层；

n型氮化物材料层；

有源区域层；

第一层p型氮化物材料，具有第一受主浓度和与所述有源区域层的低晶格失配；

第二层p型氮化物材料，其比所述第一层p型氮化物材料厚并具有第二受主浓度，所述第二层p型氮化物材料的生长温度比所述第一层p型氮化物材料的生长温度要低；

第三层p型氮化物材料，其比所述第二层p型氮化物材料薄并具有第三受主浓度，所述第三层p型氮化物材料的生长温度比所述第二层p型氮化物材料的生长温度要高；以及

在所述第三层p型氮化物材料上的欧姆接触层。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述第一层p型氮化物材料是在使用H₂作为载气的环境中生长的。