[发明专利]薄膜晶体管和图像显示装置有效
申请号: | 200710112587.5 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101106162A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 松村三江子;波多野睦子;宫本光秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 图像 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,其在岛状半导体薄膜的上部具有隔着栅极绝缘膜而配置的栅电极,并在所述栅电极的两侧配置有源电极和漏电极,其特征在于:
其在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支闭路,该分支闭路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓的侧边缘且覆盖该侧边缘来对其进行围绕。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于:
在由所述栅电极和所述分支闭路包围的所述岛状半导体薄膜的上部区域具有多个源电极或多个漏电极。
3.一种薄膜晶体管,其在岛状半导体薄膜的上部具有隔着栅极绝缘膜而配置的栅电极,并在所述栅电极的两侧配置有源电极和漏电极,其特征在于:
其在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支支路,该分支支路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓一部分的侧边缘且覆盖该侧边缘而延伸,并具有活动端。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于:
在所述栅电极的两侧的所述岛状半导体薄膜的上部区域具有多个源电极或多个漏电极。
5.一种图像显示装置,其具有绝缘基板,该绝缘基板在主面上具有矩阵状地配置有多个像素电路的显示区域和包括形成于该显示区域的外侧的、驱动像素电路的驱动电路的一部分或全部的外围电路区域,所述像素电路和所述外围电路由包括薄膜晶体管的电路构成,其特征在于:
所述薄膜晶体管在形成于所述绝缘基板的主面上的岛状半导体薄膜的上部具有隔着栅极绝缘膜而配置的栅电极,并在所述栅电极的两侧配置有源电极和漏电极,
构成所述外围电路的薄膜晶体管的一部分或全部在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支闭路,该分支闭路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓的侧边缘且覆盖该侧边缘来对其进行围绕。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置,其特征在于:
构成所述外围电路的薄膜晶体管的一部分在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支闭路,该分支闭路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓的侧边缘且覆盖该侧边缘来对其进行围绕,
构成所述外围电路的剩余的全部或一部分薄膜晶体管在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支支路,该分支支路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓的一部分的侧边缘且覆盖该侧边缘而延伸,并且具有活动端。
7.根据权利要求5所述的图像显示装置,其特征在于:
所述外围电路中包含的至少所述驱动电路的电源电压在3.0V~6.0V的范围内。
8.根据权利要求6所述的图像显示装置,其特征在于:
所述外围电路中包含的至少所述驱动电路的电源电压在3.0V~6.0V的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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