[发明专利]估测组件参数误差的晶体管电路与使用其的温度感测装置无效
申请号: | 200710112626.1 | 申请日: | 2007-06-25 |
公开(公告)号: | CN101334321A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 林文胜 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 估测 组件 参数 误差 晶体管 电路 使用 温度 装置 | ||
1.一种温度感测装置,其中包括:
一电流产生单元,其用以依据一控制信号,产生一第一电流、一第二电流、一第三电流与一第四电流;
一第一晶体管,其耦接至所述电流产生单元,并接收所述第一电流与所述第二电流,以驱动所述第一晶体管产生一第一基极电流与一第二基极电流;
一参数误差估测单元,其耦接至所述电流产生单元与所述第一晶体管,用以接收所述第三电流、所述第四电流、所述第一基极电流与所述第二基极电流,并依据所述第三电流与所述第一基极电流之间的差值以及所述第四电流与所述第二基极电流之间的差值,找出第一晶体管的一参数误差;以及
一第一量测计算单元,其耦接至所述参数误差估测单元与所述第一晶体管,当所述第一电流驱动所述第一晶体管时,量测所述第一晶体管的基-射极电压作为一第一电压,当所述第二电流驱动所述第一晶体管时,量测所述第一晶体管的基-射极电压作为一第二电压,用以计算所述第一电压与所述第二电压的差值,并依照所述电压差值与所述参数误差计算出一环境温度。
2.如权利要求1所述的温度感测装置,其中所述电流产生单元包括:
一第一受控电流源,其具有一第一端、一第二端与一控制端,其第一端耦接至一第一参考电位,其控制端接收所述控制信号,其第二端依据所述控制信号输出所述第一电流与所述第二电流;以及
一第二受控电流源,其具有一第一端、一第二端与一控制端,其第一端耦接至所述第一参考电位,其控制端接收所述控制信号,其第二端依据所述控制信号输出所述第三电流与所述第四电流。
3.如权利要求1所述的温度感测装置,其中所述电流产生单元还包括:
一第三受控电流源,其具有一第一端、一第二端与一控制端,其第一端耦接至所述第一参考电位,其控制端接收所述控制信号,其第二端依据所述控制信号输出一第五电流与一第六电流。
4.如权利要求3所述的温度感测装置,其中所述参数误差估测单元还接收所述第五电流与所述第六电流,而所述参数误差估测单元包括:
一电流减法单元,其用以输出所述第一基极电流与所述第三电流之间的一第一差值电流,并输出所述第二基极电流与所述第四电流之间的一第二差值电流;
一第二晶体管;以及
一切换单元,其用以选择所述第二晶体管的射极耦接至所述电流产生单元或所述电流减法单元。
5.如权利要求4所述的温度感测装置,其中所述参数误差估测单元还包括:
一第二量测计算单元,其耦接至所述第二晶体管与所述第一量测计算单元,用以量测所述第二晶体管的基-射极电压,并计算出所述参数误差;
其中,于一第一估测期间,所述切换单元将所述第二晶体管的射极耦接至所述电流产生单元,以接收所述第五电流与所述第六电流,当所述第五电流驱动所述第二晶体管时,所述第二量测计算单元量测所述第二晶体管的基-射极电压作为一第一量测电压,当所述第六电流驱动所述第二晶体管时,所述第二量测计算单元量测所述第二晶体管的基-射极电压作为一第二量测电压,并计算所述第一量测电压与所述第二量测电压之间的一第一电压差值,于一第二估测期间,所述切换单元将所述第二晶体管的射极耦接至所述电流减法单元,以接收所述第一差值电流与所述第二差值电流,当所述第一差值电流驱动所述第二晶体管时,所述第二量测计算单元量测所述第二晶体管的基-射极电压作为一第三量测电压,当所述第二差值电流驱动所述第二晶体管时,所述第二量测计算单元量测所述第二晶体管的基-射极电压作为一第四量测电压,并计算所述第三量测电压与所述第四量测电压之间的一第二电压差值,并依照所述第一电压差值与第二电压差值的比值计算出所述参数误差。
6.如权利要求1所述的温度感测装置,其中所述参数误差为晶体管的电流增益的误差。
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