[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件的制法，包括：

提供一载板且于该载板上形成有多个金属块；

于该载板上覆盖一阻层，并使该阻层形成有开口以外露出该金属块；

于该阻层开口中形成金属层，其中该金属层包括有延伸线路及位于该延伸线路两端的延伸垫及焊垫；

移除该阻层；

将至少一半导体芯片电性连接至该焊垫；

于该载板上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；以及

移除该载板及金属块，藉以相对在该封装胶体表面形成有多个凹槽以外露出该金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属块及金属层的制法包括：

提供一金属材料的金属载板，以于该金属载板上覆盖第一阻层，并令该第一阻层形成有多个第一开口；

于该第一开口中电镀形成金属块；

移除该第一阻层；

于该金属载板上覆盖第二阻层，并令该第二阻层形成有第二开口以外露出该金属块及部分金属载板，其中该第二开口宽度小于或等于该金属块宽度；

于该第二阻层开口中电镀形成金属层；以及

移除该第二阻层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该焊垫是相对位于该延伸线路的内端，以供与半导体芯片电性连接，该延伸垫是相对位于延伸线路的外端且外露于封装胶体表面，以间隔导电材料而与外界电性连接。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属层材料为金(Au)/钯(Pd)/镍(Ni)/钯(Pd)、金(Au)/镍(Ni)/金(Au)、及金(Au)/铜(Cu)/金(Au)的其中一者。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该半导体芯片通过焊线及覆晶的其中一方式电性连接至该焊垫。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属层复包括有作为接载半导体芯片的芯片座，以提供半导体芯片接地及导热功能。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该半导体芯片于制程中是选择置于该金属层及载板的其中一者。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，复包括于该封装胶体的凹槽中填覆绝缘层，以覆盖该延伸线路且外露出该延伸垫。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其中，该封装胶体形成有多个凹槽的表面，设置有用以连接该些凹槽的导沟，且于该凹槽及导沟中填覆有绝缘层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属块复对应形成于延伸垫的位置，以供后续移除载板及金属块后，得使封装胶体于延伸垫位置亦形成有凹槽。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，复形成有接地线路及电源线路，以供半导体芯片通过焊线电性连接至该接地线路及电源线路。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其中，该接地线路及电源线路的制法包括：

制备一金属材料的载板，并于该金属载板的一表面上覆盖第一阻层，且令该第一阻层形成有多个第一开口，以于该第一开口中电镀形成金属块；

移除该第一阻层，并于该金属载板上覆盖第二阻层，且令该第二阻层形成有多个第二开口以外露出金属块及部分载板；

于该第二开口中电镀形成金属层，该金属层包括有接地线路、电源线路、延伸线路、设于该延伸线路二端的焊垫及延伸垫；以及

移除该第二阻层。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其中，该接地线路为接地环及接地垫的其中一者，该电源线路为电源环及电源垫的其中一者。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其中，该接地线路及电源线路外露于该封装胶体凹槽，并于该凹槽中填覆有绝缘层。

15.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其中，该延伸线路及电源线路外露于封装胶体的凹槽，且于该凹槽中填充有绝缘层，另该接地线路则外露于封装胶体表面。

16.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其中，该接地线路及电源线路上接置有被动元件。