[发明专利]具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块

权利要求书

1.一种具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，包括：

至少一个影像感测晶粒；

至少一个影像处理晶粒，该影像感测晶粒与该影像处理晶粒上下堆叠接合，其中该影像感测晶粒的一感测面朝上，该影像感测晶粒具有多数条垂直导线，借此以与该影像处理晶粒建立垂直与水平的电性导通；

一透光基材，形成于该影像感测晶粒的该感测面上方；及

多数个导电性焊垫，形成于该影像感测模块背面。

2.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含一绝缘层，使该影像处理晶粒内埋于其中。

3.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该影像感测晶粒背面具有一凹槽，以放置该影像处理晶粒。

4.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该影像处理晶粒是以正面朝上或正面朝下的方式堆叠于该影像感测晶粒下方。

5.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该影像感测晶粒与该影像处理晶粒的水平电性连接位于该影像处理晶粒与该些导电性焊垫之间或该影像处理晶粒与该影像感测晶粒之间。

6.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，至少一该垂直导线贯通该影像感测晶粒及该影像处理晶粒。

7.如权利要求6所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该影像感测晶粒与该影像处理晶粒的水平电性连接是位于该影像处理晶粒与该些导电性焊垫之间或该影像处理晶粒与该影像感测晶粒之间。

8.如权利要求6所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该影像处理晶粒是以正面朝上或正面朝下的方式堆叠于该影像感测晶粒下方。

9.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一个发光二极管元件位于该影像感测晶粒上方。

10.如权利要求9所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一导光通道贯通该透光基材并形成于该发光二极管元件上方及至少一个透镜元件形成于该导光通道上方。

11.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一个天线元件形成于该影像感测晶粒上方。

12.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含一黏着层，以接合该影像感测晶粒与该影像处理晶粒。

13.如权利要求1所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含多数个锡球凸块，每一个锡球凸块分别形成于每一个该导电性焊垫下方，而通过该些锡球凸块使该影像感测模块与外界产生电性导通。

14.一种具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，包括：

至少一个影像感测晶粒，内含有影像处理功能；

一绝缘层，形成于该影像感测晶粒下方；

一系统芯片晶粒与该影像感测晶粒上下堆叠接合，其中该影像感测晶粒的一感测面朝上，该系统芯片内埋于该绝缘层中；

一透光基材，形成于该影像感测晶粒的该感测面上方；及

多数个导电性焊垫，形成于该影像感测模块背面。

15.如权利要求14所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，该系统芯片晶粒包含存储器、无线射频元件、整合性被动元件、独立的被动元件或它们的组合。

16.如权利要求14所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一个发光二极管元件位于该影像感测晶粒上方。

17.如权利要求16所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一导光通道贯通该透光基材并形成于该发光二极管元件上方及至少一个透镜元件形成于该导光通道上方。

18.如权利要求14所述的具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，其特征在于，还包含至少一个天线元件形成于该影像感测晶粒上方。