[发明专利]一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于：是通过如下方式制成的：将Mn-Ni-Cu系加入TiO2、Cr2O3、Nb2O5、WO3、Pr6O11中选出的2-3种制成低电阻率膜片；将Mn-Co-Cu系加入TiO2、Nb2O5、NiO的组合物制成高B值膜片；将两种膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在1080℃-1120℃，2.5-3.0小时保温锻烧成具有低电阻率/高B值的热敏膜片，烧后密度为4.9-5.1g/cm3，然后热敏膜片两面焙银并切成芯片要求的尺寸。

2.一种权利要求1所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)低电阻率膜片的制备：低电阻率膜片用Mn、Ni、Cu的氧化物为基加入TiO2、Cr2O3、Nb2O5、WO3、Pr6O11中选出的2-3种氧化物，混合研磨制成粉料，并在粉料加入浓度20-30％的聚乙烯醇溶液，配成浆料，扎膜成所要求的厚度的膜片；

(2)高B值膜片的制备：高B值膜片用Mn、Co、Cu的氧化物为基加入TiO2、Nb2O5、NiO的组合物，混合研磨制成粉料，在粉料中加入浓度为20-30％的聚乙烯醇熔液制成粉料，扎膜成所需要的膜片；

(3)复合膜片的制备：

a.压合：将两层低电阻率膜片和中间的高B值膜片叠成复合膜片，然后用油压机将其压制减薄到需要的厚度；

b.烧结：将复合膜片在空气中烧结，以100℃/小时升温，于1080℃-1120℃温度下锻烧2.5-3.0小时，随炉降温或120℃/小时降温冷却，烧成密度为4.9-5.1g/cm3，两面焙上银电极，最后切成所需尺寸的芯片。

3.根据权利要求2所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(1)低电阻率膜片的制备中，Mn、Ni、Cu的氧化物为Mn3O4、MnO2、Mn2O3、NiO和CuO中选出的三种，氧化物按摩尔比为Mn∶Ni∶Cu＝2.0∶2.0∶2.0。

4.根据权利要求2或3所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(1)低电阻率膜片的制备中，从TiO2、Cr2O3、Nb2O5、WO3、Pr6O11中选出的2-3种是分别以基础氧化物重量的1-3％加入基础氧化物中。

5.根据权利要求2所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(2)高B值膜片的制备中，Mn、Co、Cu的氧化物为Mn3O4、Mn2O3、MnO2、Co3O4、Co2O3、CuO中选出的三种，按摩尔配比为Mn 2.0-2.6份，Co 3.0-3.5份，Cu0.2-0.4份。

6.根据权利要求2或5所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(2)高B值膜片的制备中，TiO2、Nb2O5、NiO的组合物的重量百分比为TiO2∶Nb2O5∶NiO＝30％∶30％∶40％，组合物以基础氧化物重量的0.5-2.0％加入基础氧化物中。

7.根据权利要求2所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(3)复合膜片的制备中，在油压机上压成总厚度为1.2-1.8mm或0.3-0.8mm的复合片。

8.根据权利要求2或3所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，低电阻率膜片的制备步骤：将按比例配好的粉料用Zr球湿磨24小时后烘干，过320目筛，然后加入浓度为20-30％占料重量的30-40％的聚乙烯醇水溶液制成浆料，并在扎膜机上扎成1-5mm的薄片。

9.根据权利要求2或5所述的低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，高B值膜片的制备步骤：将按比例配好的TiO2、Nb2O5、NiO的组合物，混合研磨，在750℃-850℃保温3-5小时，将组合物与基础氧化物混合，然后按照步骤(1)中低电阻率膜片的制备步骤进行，最后扎成0.1-0.2mm的薄片。