[发明专利]无线通信模块及可具有所述模块的终端设备

说明书

技术领域

本发明属于无线通信模块设计技术领域，具体地说，是涉及一种将双总线连接模式的单芯片设计成单总线连接方式的无线通信模块设计，以及采用所述无线通信模块的终端设备。

背景技术

在移动通信终端设计行业中，手机针对通信部分至少需要四块芯片：一个基带芯片、两块射频芯片，另有一块是电源管理芯片。单芯片就是把四块芯片集成到一块芯片，可以同时提供以前四块芯片的功能，面积节省了50％，因此，在无线通信模块的设计中被广泛采用。

对于目前的CDMA手机来说，其无线通信模块一般采用高通公司研发的QSC系列单芯片平台组建电路，最为常用的三种QSC系列单芯片平台为QSC6010、QSC6020和QSC6030。三种单芯片QSC6010、QSC6020和QSC6030的管脚位置及定义基本相同，QSC6010芯片主要针对语音短信需求设计；QSC6020芯片在满足QSC6010所有功能的基础上，还包含了数据业务设计；而QSC6030芯片在满足QSC6020所有功能的基础上，还包含了摄像头功能。高通公司对三种芯片推荐的使用方式大不一样：要求QSC6010芯片使用单总线方式，配合异步模式存储器；QSC6020和QSC6030芯片使用双总线方式，配合BURST模式存储器，即突发式模式存储器。三种芯片的总线连接方式如图1、图2所示。

图1为QSC6010芯片的总线连接方式，其中，在QSC6010芯片中EBI1和EBI2合起来作为一路总线使用，EBI2连接异步模式的NOR FLASH存储器和PSRAM存储器(虚拟静态随机存储器)，以传输16位数据，EBI1用作地址线，我们将这种方式称为单总线方式。图2为QSC6020和QSC6030芯片的总线连接方式，其中，QSC6020和QSC6030芯片的EBI1和EBI2总线分别有各自的寄存器和控制信号，都可以使用，所以称其为双总线；在双总线模式中，主要使用总线EBI1，连接Burst NOR FLASH存储器和Burst PSRAM存储器，其速度是只使用EBI2总线时的两倍；总线EBI2连接NAND FLASH存储器和LCD显示屏，也用于传输16位数据。

由于QSC6020和QSC6030芯片采用双总线模式进行数据传输，且BURST模式存储器的速度较异步模式存储器要快，因此，其数据传输速度远高于由QSC6010芯片组建的通信模块，但是，BURST模式存储器的成本较异步模式存储器要高。

由于三种单芯片QSC6010、QSC6020和QSC6030所采用的总线连接模式不同，因此，需要各自设计独立电路和PCB板，设计成本高、电路板通用性差。

发明内容

本发明为了解决现有无线通信模块需要根据所选用的单芯片类型不同单独设计相应的电路结构所导致的电路板不具有通用性且成本高的问题，提供了一种新型的无线通信模块结构，将推荐使用双总线连接模式的单芯片设计成单总线连接模式，这样可以使两种类型的单芯片能够同时使用一套电路板，从而可以进一步达到增强PCB板通用性、降低成本的目的。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种无线通信模块，包括可使用双总线连接模式的单芯片和存储器，其中，所述单芯片采用单总线连接模式连接所述的存储器，其第一路总线用作地址线连接存储器的地址管脚；第二路总线连接所述存储器的相应总线管脚。

在所述第二路总线中包括数据信号线和控制信号线，分别与所述存储器的数据管脚和相应的控制管脚对应连接；其中，所述数据信号线为16位双向数据线，控制信号线包括片选信号线、存取使能信号线、输出使能信号线、写使能信号线和复位信号线，分别与所述存储器的数据管脚和相应的控制管脚对应连接。

为了提高所述单芯片使用单总线模式时的速度，使其与原双总线连接模式时的速度差不多，本发明将所述单芯片的第二路总线的信号传输速度提高，具体可提高至48MHz，同时，所述第二路总线的接入方式修改为Cache高速缓存接入方式，利用所述单芯片内部的高速缓存存储器存储该芯片读取的数据以及其产生的中间数据。

进一步的，所述存储器为异步模式存储器，可以包括异步模式的NOR FLASH存储器和PSRAM存储器等。

再进一步的，所述单芯片为QSC系列单芯片，具体可采用QSC6020或QSC6030单芯片。