[发明专利]高电流密度异形束电子源无效
| 申请号： | 200710118067.5 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101075515A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;王亦曼;李莉莉;王燕春;刘伟;周美玲;左铁镛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J1/20 | 分类号： | H01J1/20;H01J19/14 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流密度 异形 电子 | ||
1. 一种高电流密度异形束电子源，包括钼套筒(1)，与钼套筒配合的热子(2)，与钼套筒装配的阴极(3)；其特征在于：
阴极表面在覆盖层的开口区域内形成发射区(6)，而被覆盖层覆盖的结构构成非发射区(7)；
阴极表面的覆盖层分单层型或两层型两种，当阴极表面的覆盖层是单层型时，由难熔金属、难熔合金或贵金属之一的实体覆盖层；
当阴极表面的覆盖层是两层型时，覆盖层由直接覆盖在阴极面上的第一覆盖层(4)和覆盖于第一覆盖层(4)上的第二覆盖层(5)组成，第一覆盖层(4)是难熔金属、难熔合金或贵金属之一的实体覆盖层，或者是难熔金属、难熔合金或贵金属之一的薄膜覆盖层，第二覆盖层(5)是抑制发射金属钛、锆或铪之一的薄膜覆盖层。
2. 按照权利要求1的电子源，其特征在于：上述两种类型异形束成形结构中所述的实体或薄膜覆盖层中的难熔金属是钨、钼或钨钼合金；贵金属是钽、铌。
3. 按照权利要求1的电子源，其特征在于：当阴极表面覆盖层是单层型时，覆盖层的厚度在10-100微米范围内；当阴极表面覆盖层是两层型结构时，第一覆盖层是实体覆盖层时，厚度在10-100微米范围内，是难熔金属薄膜覆盖层时，膜厚在1-10微米范围内；第二覆盖层的厚度在0.1-10微米范围内。
4. 按照权利要求1的电子源，其特征在于：覆盖层上开孔的面积为几十平方微米到几平方厘米。
5. 按照权利要求1的电子源，其特征在于：覆盖层上开孔的侧壁垂直于覆盖层表面或者与表面成20-80度角。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710118067.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动擦窗器
- 下一篇：触头温升在线监测系统
