[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1、一种有机场效应晶体管，包括衬底，和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极，其特征在于：所述有机场效应晶体管为上电极结构，所述源电极和漏电极均为铜。

2、根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述铜的厚度为10～300纳米。

3、根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底选自玻璃、陶瓷、聚合物或硅片。

4、根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅极电极由具有低电阻的材料构成，包括金属、合金材料和金属氧化物导电材料。

5、根据权利要求4所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述金属包括金、银、铝、铜；所述金属氧化物导电材料包括氧化铟锡。

6、根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘层包括二氧化硅、氮化硅和有机绝缘材料。

7、根据权利要求1或2所述的有机场效应晶体管，其特征在于：有机半导体层是具有场效应性能的有机材料，包括有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们混合物及多层材料。

8、根据权利要求7所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述有机半导体层为并五苯、并四苯、酞菁铜或酞菁氧钒。

9、权利要求1所述有机场效应晶体管的制备方法，先在衬底上顺序沉积栅极电极、绝缘层和有机半导体层，然后，在有机半导体层上采用真空热蒸镀的方法沉积金属铜层，作为源电极和漏电极，得到所述有机场效应晶体管。

10、根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述金属铜层的厚度为10～300纳米。