[发明专利]双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双面透光的全有机场效应光电晶体管，其特征在于其采用垂直构型器件结构，即：

在透明衬底(1)上，有透明导电电极(2)；

在透明导电电极(2)之上，有透明有机介电绝缘层(3)和有机功能层(5)；

在透明有机介电绝缘层(3)与有机功能层(5)之间，有导电电极(4)作

为源极；

在有机功能层(5)上有透明导电电极作为漏极(6)。

2.一种双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，有如下步骤：

(a)先清洗透明有机柔性衬底，然后将透明导电电极(2)蒸镀到透明有机柔性衬底(1)上作为场效应光电晶体管的栅极；

(b)将透明有机介电绝缘层材料(3)制备到清洗好的透明导电电极(2)上；

(c)将导电电极材料(4)蒸镀到透明有机介电绝缘层(3)上，形成一定厚度的导电层作为源极；

(d)在源极上蒸镀有机功能薄膜层(5)；

(e)将透明导电电极材料(6)蒸镀到有机功能薄膜层(5)上作为漏极，从而完成整个场效应光电晶体管器件的制备。

3.根据权利要求2所述的双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(a)中，是将透明导电电极(2)蒸镀到透明有机柔性衬底(1)上作为场效应光电晶体管的栅极。柔性衬底上制备全有机场效应光电晶体管可以为全有机光电集成电子器件、以及全有机电路奠定基础。

4.根据权利要求2所述的双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(b)中，是通过甩膜的方法，将透明有机介电绝缘层材料(3)制备到清洗好的透明导电电极(2)上；对于不能用甩膜方法成膜的透明有机介电材料，可通过热蒸发等方法成膜。

5.根据权利要求2所述的双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(c)中，是用热蒸发的方法，通过掩模板将导电电极材料(4)蒸镀到透明有机介电绝缘层(3)上。

6.根据权利要求2所述的双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(d)中，有机功能层(5)选用并五苯材料。

7.根据权利要求2所述的双面透光的全有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(e)中，用作入射光的导电漏极(6)，必须是透明及半透明电极。