[发明专利]一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法无效
| 申请号： | 200710118632.8 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101345274A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;高永海;张扬;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 图形 衬底 提高 gan led 发光 效率 方法 | ||
1、一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；
步骤2：利用光刻技术制备出光刻胶图形阵列，其图形单元为圆形；
步骤3：以光刻胶图形阵列作掩膜，利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，刻蚀出具有图形结构的二氧化硅膜；
步骤4：以具有图形结构的二氧化硅膜作为掩膜，利用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；
步骤5：利用氢氟酸溶液去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净；
步骤6：继续用硫酸和磷酸混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，形成横截面为三角形的金字塔结构；
步骤7：利用有机化学气相沉积方法在图形蓝宝石衬底上生长低温成核层；
步骤8：在低温成核层上继续升高温度生长n型掺杂的GaN层，控制生长条件，生长出低位错密度且表面具有V形坑阵列结构；
步骤9：在具有V形坑阵列结构的n型GaN层上继续生长LED结构材料所需的多量子阱层和p型材料层，并使最终的表面仍具有V形坑阵列结构。
2、根据权利要求1所述的一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，其中所述的二氧化硅膜的厚度为0.3微米。
3、根据权利要求1所述的一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，其中所述的圆形的光刻胶图形阵列，图形单元的尺寸和间距为3微米。
4、根据权利要求1所述的一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，其中所述的硫酸和磷酸混合液体积比为3∶1。
5、根据权利要求1所述的一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，其中所述的湿法刻蚀的温度在400℃，刻蚀的时间为10分钟。
6、根据权利要求1所述的一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，其特征在于，其中所述的具有V形坑结构的多量子阱层为InxGa1-xN/GaN。
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