[发明专利]氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法无效
申请号: | 200710118635.1 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101343776A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C30B29/16;C23C16/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 化学 沉积 制备 装置 方法 | ||
1.一种氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,包括:
一反应管,反应管内部有一金属舟组件和一衬底托,该衬底托的一个表面上可以安置一个或多个衬底;
一进气口,用于输送第二气体到该反应管内并能到达衬底处;
一加热装置,该加热装置安置在反应管的外围,可加热反应管及其内部的物件;
该金属舟组件包括:依次连通的一通道,一金属舟,一通道,一喷口;金属舟是中空的,用于容纳金属;喷口指向衬底托;从通道通入的第一气体将依次经过金属舟、通道和喷口,喷向衬底托及衬底,并在经过金属舟时与其容纳的金属接触,使金属的蒸汽混入第一气体中。
2.如权利要求1所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中该喷口与该衬底托之间的距离小于衬底托外径的2倍,或者小于该反应管内径的1.5倍。
3.如权利要求1所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中该喷口包括2-12个互相分开的喷管,以便从该喷口喷出的第一气体能均匀分布于该衬底上。
4.如权利要求1或3所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中该反应管内还安置一气体输送组件,该气体输送组件不与喷口相接触,用于将第三气体输送到衬底上。
5.如权利要求4所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中该气体输送组件包括一通道,一气室,一喷口;该通道的一端连接在该气室上,另一端接受通入的第三气体;该喷口包括连接在该气室上的2至12个互相分开的喷管,这些喷管的出口都指向衬底托;从通道通入的该第三气体依次流经气室、喷口,喷向衬底托。
6.如权利要求1或3所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中该衬底托为圆柱形,其轴线位于该反应管的轴线上,其面对喷口的一个底面上可以安置衬底。
7.如权利要求1或3所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,其中加热装置为多温区管式炉,可以将金属舟和衬底托加热到不同温度。
8.一种氧化物的化学气相沉积制备方法,该方法是使用如权利要求1所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:向金属舟中装入构成所沉积的氧化物的一种或几种金属;
步骤2:将衬底安置于衬底托上;
步骤3:加热装置将反应管加温;
步骤4:从通道通入第一气体,从进气口通入第二气体;该第二气体含有氧化剂,该氧化剂能与金属舟中的金属的蒸汽反应生成金属氧化物;该第一气体流经金属舟时与其中的金属接触,金属的蒸汽混入该第一气体;该第一气体、第二气体在衬底上反应而生成金属氧化物,沉积于衬底上。
9.如权利要求8所述的氧化物的化学气相沉积制备方法,其特征在于,其中该第二气体中含有的氧化剂选自H2O、CO2、O2、N2O或它们的混合物,向金属舟中装入的金属是选自Zn、Cd、Mg、Be、Al、Ga。
10.如权利要求9所述的氧化物的化学气相沉积制备方法,其特征在于,其中该第二气体中含有的氧化剂是H2O,向金属舟中装入的金属是Zn,在衬底上沉积ZnO的速率大于100微米每小时。
11.一种氧化物的化学气相沉积制备方法,该方法是使用如权利要求1和4所述的氧化物的化学气相沉积制备装置,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:向金属舟中装入构成所沉积的氧化物的一种或几种金属;
步骤2:将衬底安置在衬底托上;
步骤3:加热装置将反应管加温;
步骤4:从通道通入第一气体,从进气口通入第二气体,通过气体输送组件通入第三气体;该第一气体和第二气体对于金属舟中的金属是惰性的,第三气体含有氧化剂,该氧化剂能与金属舟中的金属的蒸汽反应生成金属氧化物;该第一气体流经金属舟时与其中的金属接触,金属的蒸汽混入该第一气体;该第一气体、第三气体在衬底上反应而生成金属氧化物,沉积于衬底上;该第二气体起到延缓第一气体、第三气体混合的作用。
12.如权利要求11所述的氧化物的化学气相沉积制备方法,其特征在于,其中该第三气体中含有的氧化剂选自H2O、CO2、O2、N2O或它们的混合物,向金属舟61中装入的金属是选自Zn、Cd、Mg、Be、Al、Ga。
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