[发明专利]一种纳米晶薄膜及其低温制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶薄膜，其特征在于：该纳米晶薄膜由两种或两种以上纳米晶颗粒组成，它由纳米晶前驱体浆料制成，用涂覆方法将前驱体浆料涂覆到基底表面，所述浆料在低温下形成纳米晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的纳米品薄膜，其特征在于：所述在纳米晶颗粒组成中，最小颗粒尺寸的平均直径范围为3～200nm，其他颗粒尺寸的平均直径范围为10～1000nm。

3.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征在于：所述在前驱体浆料中，尺寸最小的纳米晶颗粒其在所有颗粒中的质量百分含量范围为最小尺寸的纳米晶粒子所占的质量百分比范围为10～75％；最大尺寸的纳米晶粒子所占的质量百分比范围为5～30％；所述浆料中固相物质的质量百分含量范围为2％～75％，其粘度大于1000cp·s。

4.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征在于：所述浆料中纳米晶颗粒是氧化钛、氧化硅、氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化钒、氧化铁、氧化钨、氧化镍、氧化铝、氧化镁、稀土氧化物中的一种或两种以上物质。

5.根据权利要求4所述的纳米品薄膜，其特征在于：所述稀土氧化物为氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化铒、氧化钐、氧化铕、氧化镝、氧化铽、氧化铥、氧化钆、氧化钬、氧化镱、氧化镥。

6.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征在于：所述前驱体浆料中纳米晶颗粒形状为球形、方形、棱锥状、管状、棒状、线状或者其他所有不规则形貌。

7.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征在于：所述对前驱体浆料中的纳米晶颗粒进行了表面改性，表面改性方法包括离子溅射、物理吸附、化学吸附、或化学合成。改性后颗粒表面将吸附有新的官能团，这些官能团可以是羟基、硝酸根、氢离子、易挥发有机酸根离子(脂肪酸，例如甲酸、醋酸等)、卤素离子其中的任何一种或者两种以上。

8.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征是：浆料中所包含的不同的纳米晶颗粒，既可以是颗粒尺寸不同，至少包含两种以上尺寸的颗粒。

9.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征是：前驱体浆料中所使用的有机/无机溶剂是醇类、酮类、水性溶剂中的任意一种或者两种以上。

10.根据权利要求1所述的纳米晶薄膜，其特征是：所使用的基底可以是导电基底，包括柔性导电聚合物基底、柔性导电金属薄底、刚性导电基底、金属基底；也可以是不导电基底，包括任何基底的表面。

11.制备如权利要求1所述的纳米晶薄膜的方法，其特征在于：将前驱体浆料涂覆到基底表面的涂覆方法是刮涂法、喷涂法、丝网印刷法、成卷生长法、电泳法、甩胶法、提拉法中的任何一种。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于：所述薄膜制备过程中的环境温度范围为20～400℃，获得薄膜的厚度为100nm～50μm，薄膜的比表面积分布范围为30～400m²/g。