[发明专利]高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构

权利要求书

1、一种高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：

一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；

一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；

一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；

一下垒层，该下垒层制作在下布拉格反射器上；

一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；

一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；

一上布拉格反射器，该上布拉格反射器制作在上垒层的上面；

一电极接触层，该电极接触层制作在上布拉格反射器上，形成微腔光放大器；

把微腔光放大器光刻成条状台面，并将它的两个端面刻蚀成45度倾角的斜面并镀有增透膜。

2、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该衬底是N-砷化镓材料。

3、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该缓冲层为N-砷化镓材料。

4、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该下布拉格反射器是由19个周期的、N-砷化镓和N-砷化铝层组成；每个周期的砷化镓和砷化铝层的厚度均为四分之一个谐振波长。

5、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该下垒层是不掺杂砷化镓材料。

6、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该量子阱层是不掺杂铟镓砷三元材料。

7、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该上垒层是不掺杂砷化镓材料。

8、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该上布拉格反射器是由15个周期的P-砷化镓和P-砷化铝层组成；每个周期的砷化镓和砷化铝层的厚度均为四分之一个谐振波长。

9、根据权利要求1所述的高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，其中该电极接触层是P-砷化镓材料。