[发明专利]具有铁电性的V掺杂ZnO薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710118962.7 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101104566A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;杨玉超;曾飞;宋成 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 铁电性 掺杂 zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁电性V掺杂ZnO薄膜，其特征在于：其组成中，V含量为0.2～2.0at.％，Zn和V的总含量为50at.％，其余为0。
2.根据权利要求1所述的铁电性V掺杂ZnO薄膜，其特征在于：V含量为1.3at.％。
3.一种权利要求1或2所述薄膜的制备方法，采用反应溅射的方式，其特征在于：所用靶材为纯锌和纯钒的复合靶，钒与锌靶的接触面积为锌靶面积的4～9.5％，反应气体为纯氩和纯氧，氩气和氧气的比例为1∶3至1∶1，背景真空压力小于5×10-4Pa，溅射气体总压力0.8Pa，基片温度为100～500℃。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：钒与锌靶的接触面积为锌靶面积的4.5～9.0％。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：钒与锌靶的接触面积为锌靶面积的7.5％。
6.根据权利要求3～5任一所述的制备方法，其特征在于：基片温度为180～250℃。
7.根据权利要求3～6任一所述的制备方法，其特征在于：氩气和氧气的比例为3∶5。
8.根据权利要求3～7任一所述的制备方法，其特征在于：反应溅射的时间为10分钟至2小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710118962.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐磨喷管
- 下一篇：高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法
