[发明专利]双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅

权利要求书

1.一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆孔，且孔内填充与顶部金属盖层相同的材料；所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上；其中，双色量子阱红外探测器工作点为中波5μm/长波8μm，采用周期Λ＝3μm、占空比为r/Λ＝0.4、深度h＝0.6μm的圆孔三角晶格光子晶体结构作为光栅，r代表光子晶体圆孔半径。

2.根据权利要求1所述的双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，所述二维光子晶体结构是三角晶格排列。

3.根据权利要求1所述的双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，所述双色半导体量子阱探测器采用背入射探测模式。

4.根据权利要求1所述的双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，所述的半导体材料为GaN/AlGaN材料，或为GaAs/AlGaAs材料，或为InP/InGaAsP材料。

5.根据权利要求1所述的双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，所述的金属盖层材料为AuGeNi合金。

6.根据权利要求1所述的双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，该光子晶体光栅在双色象素重叠型半导体量子阱探测器或双色象素交替型半导体量子阱探测器的顶部实现，且象素点顶部采用相同的光子晶体光栅结构，并通过In柱倒装与Si基IC电路集成。

7.一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆孔，且孔内填充与顶部金属盖层相同的材料；所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上；其中，双色量子阱红外探测器工作点为长波8μm/12μm，采用周期Λ＝4.6μm、占空比为r/Λ＝0.35、深度h＝0.7μm的圆孔三角晶格光子晶体结构作为光栅，r代表光子晶体圆孔半径。