[发明专利]垂直取向模式液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710119284.6 申请日: 2007-07-19
公开(公告)号: CN101349823A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 金在光 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/137;G02F1/139
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 垂直 取向 模式 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,包括:

第一基板和与之相对设置的第二基板;

一薄膜晶体管和与之电连接的像素电极层,所述薄膜晶体管和所述像素电极层位于第一基板上,所述像素电极层表面设有缝隙;

一彩色树脂层,位于所述像素电极层上,其表面形成有控制液晶旋转方向的凹谷,所述缝隙和所述凹谷不重叠;

一电极层,形成在所述第二基板上;

一液晶层,设置在所述第一基板和第二基板之间;

其中,所述凹谷用于作为液晶开始旋转的起点。

2.根据权利要求1所述的垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述彩色树脂层的厚度大于或等于1μm。

3.根据权利要求1所述的垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述凹谷的宽度为8μm~15μm。

4.根据权利要求1所述的垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述凹谷的侧面与所述像素电极层表面的夹角大于或等于20°。

5.根据权利要求1所述的垂直取向模式液晶显示装置,其特征在于,所述电极层为公共电极层,或为公共电极层和黑矩阵。

6.一种垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:

步骤1、形成第一基板;

步骤2、在所述第一基板上形成薄膜晶体管;

步骤3、在所述薄膜晶体管上形成与所述薄膜晶体管电连接的像素电极层,在所述像素电极层表面形成缝隙;

步骤4、在所述像素电极层上形成彩色树脂层,在彩色树脂层表面形成用于控制液晶旋转的方向和作为液晶开始旋转的起点的凹谷,所形成的凹谷与所述缝隙不重叠。

7.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法, 其特征在于,步骤4中所形成的彩色树脂层的厚度大于或等于1μm。

8.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,步骤4中所形成的凹谷的宽度为8μm~15μm。

9.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,步骤4中所形成的凹谷的侧面与所述像素电极层表面的夹角大于或等于20°。

10.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所形成的缝隙形状为条状,所形成的凹谷是位于相邻缝隙之间的线形。

11.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所形成的缝隙形状为块状,所形成的凹谷的形状是以所述缝隙形状为中心的圆形。

12.根据权利要求6所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,还包括:

形成第二基板;

在所述第二基板上形成电极层。

13.根据权利要求12所述的垂直取向模式液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述电极层为公共电极层,或为公共电极层和黑矩阵。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710119284.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top