[发明专利]具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，特别涉及一种基板主体上的薄膜晶体管器件(Thin Film Transistor，以下简称：TFT)呈螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置。

背景技术

在显示器发展的今天，人们对显示品质的要求越来越高，提高显示性能也就成了获得利润的关键。在影响TFT-LCD的显示特性的参数中，沟道宽长比(Width/Length，以下简称：W/L)和开口率是很重要的参数，W/L是指沟道宽度与长度的比值，W/L越大越好，但W受开口率的限制，L受光刻胶精度的限制；开口率是指薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，以下简称：TFT-LCD)屏光透过部分和不透过部分面积之比，透光部分是TFT像素电极像元的占有面积，其余部分是不透光部分；这两种参数取决于TFT器件工艺水平级的结构设计，在设计TFT器件时，要综合考虑各种因素和工艺能力及成本，选定合理的器件参数。现有的液晶显示装置中TFT器件结构主要有以下两种：

图4为第一种现有的液晶显示装置中TFT器件结构示意图，其中源电极41与漏电极42之间形成沟道43，这种结构在工艺上比较容易实现，但是其缺点是W/L比值太小；图5为第二种现有的液晶显示装置中TFT器件结构示意图，其中源电极51和漏电极52呈交叉型结构，形成沟道53，该结构的W/L比值比较大，但是TFT像素电极像元占用面积很大，影响了开口率。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示装置，既可以提高沟道宽长比，又可以减小对开口率的影响，提高TFT器件的电子特性，进一步提高TFT-LCD的显示性能。

本发明通过一些实施例提供了一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，包括基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源电极和漏电极所形成的沟道，所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第二源线为带有开口的环形源线，所述第一源线连接在所述第二源线的中部；所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内，所述漏电极通过过孔与像素电极连接的一端设置在所述环形源线之外，所述环形源线和所述环形漏线在栅线所在层的投影全部落入栅线所在区域的范围之内。

本发明的实施例提供的具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，通过将TFT器件设置成螺旋交互形状，既提高了沟道宽长比，又减小了对开口率的影响，从而提高了TFT器件的电子特性，进一步提高了TFT-LCD的显示性能。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例一的示意图；

图2为图1中A-A方向的截面图；

图3为本发明具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例二的示意图；

图4为现有技术第一种液晶显示装置的示意图；

图5为现有技术第二种液晶显示装置的示意图。

具体实施方式

实施例一：

参见图1，为本发明具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例一的示意图。图中示意出位于基板主体上的TFT器件，包括：源电极11、漏电极12、数据线13、栅线14、以及由源电极31和漏电极32形成的沟道15；源电极包括第一源线111以及由第二A源线112、第二B源线113以及第二C源线114组成的第二源线，第二A源线112、第二B源线113以及第二C源线114依次连接，形成带有开口的环形源线，第一源线111连接在第二源线的中部，即连接在第二A源线112和第二B源线113的连接处；漏电极12包括依次连接的第一漏线121、第二漏线122、第三漏线123以及第四漏线124，该四个漏线形成带有开口的环形漏线；第二B源线113设置在环形漏线的开口处使第二C源线114位于环形漏线内，第三漏线123设置在环形源线的开口内使第四漏线124位于环形源线内。本实施例中，源电极11和漏电极12之间形成方形螺旋交互源漏电极结构，源电极11与漏电极12之间的垂直距离称之为沟道长度，该S型沟道15的总长度称之为沟道宽度。

参见图2，为图1中A-A方向的截面图。图中示意出基板主体上各层结构以及沟道部位结构，各层包括：栅线层21、绝缘层22、半导体层23；源漏电极及沟道部位依次为：包括第二A源线112、第四漏线124、第二C源线114、及第二漏线122，源线和漏线之间为沟道15。